東莞市鼎偉靶材有限公司是專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)純屬材料，蒸鍍膜材料以及濺射靶材的技術(shù)企業(yè)應(yīng)用的科技型民營(yíng)股份制工貿(mào)有限公司。公司以青島大學(xué)和青島科技大學(xué)蒸材料專(zhuān)業(yè)為技術(shù)依托，擁有多名中級(jí)專(zhuān)業(yè)技術(shù)人員和專(zhuān)業(yè)化應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室，有很強(qiáng)的蒸材料能力。公司先后研的蒸材料、濺射靶材系列產(chǎn)品廣泛應(yīng)用到國(guó)內(nèi)外眾多知名子、太陽(yáng)能企業(yè)當(dāng)中，以較的價(jià)比，成功替代了國(guó)外進(jìn)口產(chǎn)品，頗受用戶好評(píng)。
片，片
東莞市鼎偉靶材有限公司
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公司主要經(jīng)營(yíng)產(chǎn)品：
一、真空鍍膜材料
1．純真空濺射靶材（99.9％——99.999％）
純屬靶材：鋯靶Zr、鉻靶Cr、鈦靶Ti、鋁靶Al、錫靶Sn、釩靶V、銻靶Sb、銦靶、硼靶B、鎢靶W、錳靶Mn、鉍靶Bi、銅靶Cu、石墨靶C、硅靶 Si、鉭靶 Ta、鋅靶Zn、鎂靶Mg、鈮靶Nb、鉬靶Mo、鈷靶Co、鐵靶Fe、鍺靶Ge、鉿靶Hf、鉛靶Pb、鎳靶Ni、銀靶Ag、硒靶Se、鈹靶Be、碲靶Te、不銹鋼靶材S.S等……
多元合靶材： 鈦鋁靶Ti-Al、鈦鋯靶Ti-Zr、鈦硅靶Ti-Si、鈦鎳靶Ti-Ni、鎳鉻靶Ni-Gr、鎳鋁靶Ni-Al、鎳釩靶Ni-V、鎳鐵靶Ni-Fe、鐵鈷靶Fe-Co、鋁硅靶Al-Si、鈦硅靶Ti-Si、鉻硅靶Cr-Si、鋅鋁靶Zn-Al、鈦鋅靶材Ti-Zn、鋁硅銅靶Al-Si-Cu等……
陶瓷濺射靶材：ITO靶、單晶硅靶、多晶硅靶、一氧化硅靶SiO、二氧化硅靶SiO2、二氧化鈦靶TiO2、氧化鋯靶ZrO2、二硼化鈦靶TiB2、氧化鎂靶MgO、碳化硼靶BC、氮化硼靶BN、碳化硅靶SiC、三氧化二釔靶Y2O3、五氧化二釩靶V2O5、氧化鋅靶ZnO、硫化鋅靶ZnS、硫化鉬靶MoS、硫化鎢靶WS、氧化鋅鋁靶ZAO、氧化鋁靶Al2O3、鈦酸鍶靶SrTiO3、五氧化二鉭靶Ta2O5、五氧化二鈮靶Nb2O5、氧化鋅鎵靶ZGO、氧化鋅硼靶ZBO、砷化鎵靶GaAs，磷化鎵靶GaP，硒化鋅靶、錳酸鋰靶、鎳鈷酸鋰靶、鉭酸鋰靶，鈮酸鋰靶、等…
稀土屬靶：鑭靶、鈰靶、鐠靶、釹靶、釤靶、銪靶、釓靶、鋱靶、鏑靶、鈥靶、鉺靶、銩靶、鐿靶、镥靶、釔靶等…
稀土氧化物靶：氧化鑭靶、氧化鈰靶、氧化鐠靶、氧化釤靶、氧化銪靶、氧化釹靶、氧化釓靶、氧化鋱靶、氧化鏑靶、氧化鈥靶、氧化鉺靶、氧化銩靶、氧化鐿靶、氧化镥靶
屬膜阻器用Ni-Cr-Si/ Ni-Cr-Mn-Cu濺射靶材：
屬膜阻器用靶材括阻系列（ZYG）、中阻系列（ZYZ）和低阻系列（ZYC）、超低阻系列（ZYCD）。
2．純光學(xué)鍍膜材料（99.99％——99.999％）
氧化物：一氧化硅、二氧化硅、一氧化鈦、二氧化鈦、三氧化二鈦、五氧化三鈦、二氧化鋯、二氧化鉿、二氧化鈰、二鈦酸鐠、三氧化鎢、五氧化二鉭、五氧化二鈮、三氧化二鈧、三氧化二鋁、三氧化二銦、氧化鐿、氧化鋅、氧化鎂、氧化釓、氧化釤、氧化釹、氧化鈣、氧化鐠、氧化鉍、氧化鉻、氧化鎳、氧化銅、氧化鐵、氧化釩等…
氟化物：氟化鎂、氟化鈣、氟化釹、氟化鑭、氟化鐿、氟化釔、氟化鉺、氟化釤、氟化鏑、氟化鈰、氟化鋇、氟化鍶、氟化鉀、氟化鈉等…
硫化物：硫化鋅、硫化鉬、硫化鈣、硫化銻、硫化鐵、硫化鈉等…
靶(Au)
名稱(chēng)
尺寸
純度
絲（Au）
Φ0.001mm—1.0mm
99.99% 99.995% 99.999%
絲（Au）
Φ1.0mm—3.0mm
99.99% 99.995% 99.999%
粒（Au）
Φ2*5mm or Φ2*10mm
99.99% 99.995% 99.999%
粒（Au）
Φ3*3mm or Φ3*5mm
99.99% 99.995% 99.999%
片（Au）
T 0.10mm—T 2mm
99.99% 99.995% 99.999%
粉（Au）T18937326747(不是聯(lián)系方式)
0.01um—1.0um 1-5um -200目 -325目
99.99%
標(biāo)準(zhǔn)裝為：100g 250g 500g 1000g 10kg 25kg 50kg
半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用靶材是靶材市場(chǎng)的主要組 成之一。在1991年的靶材市場(chǎng)銷(xiāo)售額中，有約’"60%為半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用靶材，35%用于記錄介質(zhì)領(lǐng) 域，5%為顯示領(lǐng)域用靶材及其他。近年來(lái)，半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用靶材以近10%的年長(zhǎng)率長(zhǎng)［ 在硅片制成各種晶體管、二極管等元器件后，根據(jù)路設(shè)計(jì)要求，將這些元器件用屬薄膜線條連接起來(lái)，形成有各種功能的集成路的工藝稱(chēng)為屬化。屬化工藝是硅集成路制造工藝中非常重要的環(huán)節(jié)。屬化系統(tǒng)和屬化工藝的優(yōu)劣 會(huì)影響路的能和可靠。
【原創(chuàng)內(nèi)容】
的保護(hù)手套，{jd1}避用手直接接觸靶材二、靶材清潔靶材清潔的目的是去除靶材表面可能存在的灰塵或污垢。屬靶材可以通過(guò)四步清潔，{dy}步用在中浸泡過(guò)的無(wú)絨軟布清潔；需要進(jìn)行溫帖合的條件下，無(wú)氧化銅容易被氧化和生翹曲,所以會(huì)使用屬鉬為背靶材料或某些靶材如陶瓷甚至某些屬靶材的熱膨脹系數(shù)無(wú)法與無(wú)氧銅匹配，同樣也需要使用需要進(jìn)行溫帖合的條件下，無(wú)氧化銅容易被氧化和生翹曲,所以會(huì)使用屬鉬為背靶材料或某些靶材如陶瓷甚至某些屬靶材的熱膨脹系數(shù)無(wú)法與無(wú)氧銅匹配，同樣也需要使用用。靶材進(jìn)行預(yù)濺射時(shí)建議慢慢加大濺射功率，陶瓷類(lèi)靶材的功率加大速率建議為1.5W時(shí)/平方厘米。屬類(lèi)靶材的預(yù)濺射速度可以比陶瓷靶材塊，一個(gè)合理的功率加大速率為清潔。第四步在清除完有污垢的區(qū)域后，再用壓低水氣的氬氣沖洗靶材，以除去所有可能在濺射系統(tǒng)中會(huì)造成起弧的雜質(zhì)粒三、靶材安裝靶材安裝過(guò)程中最重要的意事項(xiàng)是一定清潔。第四步在清除完有污垢的區(qū)域后，再用壓低水氣的氬氣沖洗靶材，以除去所有可能在濺射系統(tǒng)中會(huì)造成起弧的雜質(zhì)粒三、靶材安裝靶材安裝過(guò)程中最重要的意事項(xiàng)是一定路進(jìn)行判斷。在確定陰極不存在短路后，可以進(jìn)行檢漏檢查，將水通入陰極確定是否存在漏水現(xiàn)象。五、靶材預(yù)濺射靶材預(yù)濺射建議采用純氬氣進(jìn)行濺射，可以起到清潔靶材表面的作用戶對(duì)背靶的檢查結(jié)果，如我們現(xiàn)有需要維修的地方會(huì)書(shū)面通知戶并提供維修報(bào)價(jià)。影響靶材中的因素主要是反應(yīng)氣體和濺射氣體的比例，反應(yīng)氣體過(guò)量就會(huì)導(dǎo)致靶中。反應(yīng)
