INFINEON/英飛凌IC電子料回收   181-2470 
 同上1558 同步同號(hào)  
三星（samsung）同樣于2006年發(fā)表stacked nand，2009年進(jìn)一步發(fā)表垂直通道tcat與水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星發(fā)布名為v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技術(shù)和垂直堆疊單元結(jié)構(gòu)，單一芯片可以集結(jié)、堆疊出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多兩倍，性、寫(xiě)入速度也比20nm制程nand flash還高。三星目前在3d-nand flash應(yīng)用進(jìn)度其他業(yè)者，v-nand制造基地將以韓國(guó)廠與新設(shè)立的西安廠為主。其v-nand目標(biāo)直接揮軍伺服器等級(jí)固態(tài)硬碟，從2013年 四季開(kāi)始，陸續(xù)送樣給伺服器業(yè)者或是資料 制造商進(jìn)行測(cè)試。
  東芝（toshiba）以2009年開(kāi)發(fā)的bics—3d nand flash技術(shù)，從2014年季起開(kāi)始小量試產(chǎn)，目標(biāo)在2015年前順利銜接現(xiàn)有1y、1z 技術(shù)的flash產(chǎn)品。為了后續(xù)3d nand flash的量產(chǎn)鋪路，東芝與新帝（sandisk）合資的日本三重縣四日市晶圓廠，期工程擴(kuò)建計(jì)劃預(yù)計(jì)2014年q3完工，q3順利進(jìn)入規(guī)?；a(chǎn)。而sk海力士與美光（micron）、英特爾（intel）陣營(yíng)，也明確宣告各自3d nand flash的藍(lán)圖將接棒16 ，計(jì)劃于2014年q2送樣測(cè)試，快于年底量產(chǎn)。
  由于3d nand flash存儲(chǔ)器的制造步驟、工序以及生產(chǎn)良率的提升，要比以往2d平面nand flash需要更長(zhǎng)時(shí)間，且在應(yīng)用端與主芯片及系統(tǒng)整合的驗(yàn)證流程上也相當(dāng)耗時(shí)，故初期3d nand flash芯片將以少量生產(chǎn)為主，對(duì)整個(gè)移動(dòng)設(shè)備與儲(chǔ)存市場(chǎng)上的替代效應(yīng)，在明年底以前應(yīng)該還看不到。
  移動(dòng)設(shè)備的快閃存儲(chǔ)器容量、速率進(jìn)展
  移動(dòng)設(shè)備所需要的gb儲(chǔ)存容量，據(jù)估計(jì)每部手機(jī)搭配的nand flash容量，將從2012年5.5gb增加到2015年的25.1gb；每部平板電腦搭配nand flash容量，從28.7gb增加到2015年的96.1gb。
  emmc（embedded multimedia card）是jedec協(xié)的儲(chǔ)存媒體規(guī)范，其藉由將mmc controller跟nand flash封裝成一顆芯片的方式，移動(dòng)設(shè)備無(wú)須顧慮著nand flash制程與規(guī)格的改變，與新世代nand flash搭配的快閃存儲(chǔ)器控制芯片與韌體的搭配，進(jìn)而簡(jiǎn)化體積與電路設(shè)計(jì)。2013年有4.5億部移動(dòng)設(shè)備均使用emmc。
  而universal flash storage（ufs）將以往emmc安、低功耗、小尺寸封裝的應(yīng)用， 目前ssd所使用到的高速串列介面技術(shù)，目前ufs 1.1規(guī)格傳輸速率達(dá)到3gbps，未來(lái)ufs 2.0將可進(jìn)一步達(dá)到6gbps。因ufs跟既有的emmc介面迥然不同也無(wú)法相容，相關(guān)產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈尚未齊，整個(gè)產(chǎn)業(yè) 尚未建立，ufs產(chǎn)品預(yù)估2014年才有小量產(chǎn)品出現(xiàn)在市面上，且因成本因素會(huì)瞄準(zhǔn)在市場(chǎng)，ufs與emmc兩者屆時(shí)會(huì)并存在市場(chǎng)上一陣子。