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6N65-ASEMI高品質(zhì)MOS管6N65
型號：6N65
品牌：ASEMI
封裝：TO-220
電流：6A
電壓：650V
正向電壓：
引腳數(shù)量：3
芯片個數(shù)：
芯片尺寸：
漏電流：
特性：場效應(yīng)管
工作溫度：-55~+150℃
6N65的電性參數(shù)：正向平均電流6A；反向峰值電壓650V
場效應(yīng)管工作原理用一句話說，就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID，用以柵極與溝道間的pn結(jié)形成的反偏的柵極電壓控制ID”。更正確地說，ID流經(jīng)通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結(jié)反偏的變化，產(chǎn)生耗盡層擴展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區(qū)域，表示的過渡層的擴展因為不很大，根據(jù)漏極-源極間所加VDS的電場，源極區(qū)域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流ID流動。從門極向漏極擴展的過度層將溝道的一部分構(gòu)成堵塞型，ID飽和。將這種狀態(tài)稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，并不是電流被切斷。
