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20N20-ASEMI場效應mos管20N20
型號：20N20
品牌：ASEMI
封裝：TO-220F
電性參數(shù)20A 200V
正向電流：20A
反向耐壓：200V
恢復時間：
引腳數(shù)量：3
芯片個數(shù)：1
芯片尺寸：
封裝尺寸：如圖
特性：場效應管
浪涌電流：
工作溫度：-55℃~+150℃
場效應管原理：
場效應管工作原理用一句話說，就是“漏極-源極間流經溝道的ID，用以柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓控制ID”。更正確地說，ID流經通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結反偏的變化，產生耗盡層擴展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區(qū)域，表示的過渡層的擴展因為不很大，根據(jù)漏極-源極間所加VDS的電場，源極區(qū)域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流ID流動。從門極向漏極擴展的過度層將溝道的一部分構成堵塞型，ID飽和。將這種狀態(tài)稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，并不是電流被切斷。
