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20N20-ASEMI場(chǎng)效應(yīng)mos管20N20

作者:深圳市強(qiáng)元芯電子有限公司 來源:asemi888 發(fā)布時(shí)間:2021-12-07 瀏覽:134
20N20-ASEMI場(chǎng)效應(yīng)mos管20N20

編輯:ll

20N20-ASEMI場(chǎng)效應(yīng)mos20N20

型號(hào):20N20

品牌:ASEMI

封裝:TO-220F

電性參數(shù)20A 200V

正向電流:20A

反向耐壓:200V

恢復(fù)時(shí)間:

引腳數(shù)量:3

芯片個(gè)數(shù):1

芯片尺寸:

封裝尺寸:如圖

特性:場(chǎng)效應(yīng)管

浪涌電流:

工作溫度:-55℃~+150℃

場(chǎng)效應(yīng)管原理:

場(chǎng)效應(yīng)管工作原理用一句話說,就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID,用以柵極與溝道間的pn結(jié)形成的反偏的柵極電壓控制ID”。更正確地說,ID流經(jīng)通路的寬度,即溝道截面積,它是由pn結(jié)反偏的變化,產(chǎn)生耗盡層擴(kuò)展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區(qū)域,表示的過渡層的擴(kuò)展因?yàn)椴缓艽?,根?jù)漏極-源極間所加VDS的電場(chǎng),源極區(qū)域的某些電子被漏極拉去,即從漏極向源極有電流ID流動(dòng)。從門極向漏極擴(kuò)展的過度層將溝道的一部分構(gòu)成堵塞型,ID飽和。將這種狀態(tài)稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋,并不是電流被切斷。


鄭重聲明:資訊 【20N20-ASEMI場(chǎng)效應(yīng)mos管20N20】由 深圳市強(qiáng)元芯電子有限公司 發(fā)布,版權(quán)歸原作者及其所在單位,其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內(nèi)容未經(jīng)(企業(yè)庫www.scsong.cn)證實(shí),請(qǐng)讀者僅作參考,并請(qǐng)自行核實(shí)相關(guān)內(nèi)容。若本文有侵犯到您的版權(quán), 請(qǐng)你提供相關(guān)證明及申請(qǐng)并與我們聯(lián)系(qiyeku # qq.com)或【在線投訴】,我們審核后將會(huì)盡快處理。
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