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40N120-ASEMI低功耗場效應(yīng)管40A 1200V
型號：40N120
品牌：ASEMI
封裝：TO-247
電流：40A
電壓：1200V
恢復(fù)時間：
正向電壓：
引腳數(shù)量：3
芯片個數(shù)：1
芯片尺寸：
漏電流：10uA
特性：低功耗場效應(yīng)管
工作溫度：-55~+150℃
MOS場效應(yīng)管
即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管，英文縮寫為MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），屬于絕緣柵型。其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻（高可達1015Ω）。它也分N溝道管和P溝道管。通常是將襯底（基板）與源極S接在一起。根據(jù)導(dǎo)電方式的不同，MOSFET又分增強型、耗盡型。所謂增強型是指：當VGS=0時管子是呈截止狀態(tài)，加上正確的VGS后，多數(shù)載流子被吸引到柵極，從而“增強”了該區(qū)域的載流子，形成導(dǎo)電溝道。耗盡型則是指，當VGS=0時即形成溝道，加上正確的VGS時，能使多數(shù)載流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子，使管子轉(zhuǎn)向截止。
