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20N20-ASEMI低功耗場效應管20A 200V
型號：20N20
品牌：ASEMI
封裝：TO-220F
正向電流：20A
反向耐壓：200V
引腳數(shù)量：3
芯片個數(shù)：1
漏電流：
芯片材質(zhì)：
封裝尺寸：如圖
特性：低功耗場效應管
工作溫度：-55℃~+150℃
MOS場效應管
即金屬-氧化物-半導體型場效應管，英文縮寫為MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），屬于絕緣柵型。其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻（可達1015Ω）。它也分N溝道管和P溝道管。通常是將襯底（基板）與源極S接在一起。根據(jù)導電方式的不同，MOSFET又分增強型、耗盡型。所謂增強型是指：當VGS=0時管子是呈截止狀態(tài)，加上正確的VGS后，多數(shù)載流子被吸引到柵極，從而“增強”了該區(qū)域的載流子，形成導電溝道。耗盡型則是指，當VGS=0時即形成溝道，加上正確的VGS時，能使多數(shù)載流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子，使管子轉(zhuǎn)向截止。
