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25小時在線 15889737035 可微可電 電感在電路中常用“L”加數字說，如：L3說編號為3的電感。電路板上的電感器
電感線圈是將絕緣的導線在絕緣的骨架上繞一定的圈數制成。
直流可通過線圈，直流電阻就是導線本身的電阻，壓降很??；當交流信號通過線圈時，線圈兩端將會產生自感電動勢，自感電動勢的方向與外加電壓的方向相反，阻礙交流的通過，所以電感的特性是通直流阻交流，頻率越高，線圈阻抗越大。電感在電路中可與電容組成振蕩電路。
電感一般有直標法和色標法，色標法與電阻類似。如：棕、黑、金、金說1uH（誤差5 ）的電感。
電感的基本單位為：亨（H） 換算單位有：1H=103mH=106uH。
micron自家市場統(tǒng)計預測指出，從2012到2016年總體nand flash容量應用的年復合成長率可達51 。2013年，美光（micron）與sk hynix兩家晶圓廠，先后發(fā)表16nm制程的nand flash存儲器技術，而東芝（toshiba）則在2014年直接跨入15nm制程，并推出相關nand flash存儲器芯片產品。 nand flash傳輸速率，從2010年onfi 2.0的133mb/s，emmc v4.41的104mb/s；到2011年onfi v2.2/toggle 1.0規(guī)格，傳輸速率提升到200mb/s，emmc v4.5拉高到200mb/s，ufs 1.0傳輸速率為2.9gbps；2012年onfi v3.0/toggle v1.5提升到400mb/s，ufs v2.0傳輸速率倍增為5.8gbps；預估到2015年，onfi v4.x/toggle v2.xx規(guī)格定義的傳輸速率增到800mb/s、1.6gb/s。 TPS74801QRGWRQ1 TPIC44L01DBR TLE42754G NCV47821PAAJR2G TPS745125PQWDRBRQ1 S9S12GN32BMLCR S9S12G192F0CLL LM324IYPT BUK9K35-60E S9S12G192F0CLL TPS40210QDGQRQ1 TPS74801QRGWRQ1 BZX384-C6V2 S912XDP512JMAL A4935KJPT-T TLE42754G SPC5743PK1AMLQ5R UCC28C41QDRQ1 NCV47821PAAJR2G MCIMX6D6AVT08AD SPC560P44L3CEFAR AONR34332C DMP4015SK3Q PESD1CAN.125 S9S12G64AMLF