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25小時在線 15889737035 可微可電 電感在電路中常用“L”加數(shù)字說，如：L3說編號為3的電感。電路板上的電感器
電感線圈是將絕緣的導線在絕緣的骨架上繞一定的圈數(shù)制成。
直流可通過線圈，直流電阻就是導線本身的電阻，壓降很?。划斀涣餍盘柾ㄟ^線圈時，線圈兩端將會產(chǎn)生自感電動勢，自感電動勢的方向與外加電壓的方向相反，阻礙交流的通過，所以電感的特性是通直流阻交流，頻率越高，線圈阻抗越大。電感在電路中可與電容組成振蕩電路。
電感一般有直標法和色標法，色標法與電阻類似。如：棕、黑、金、金說1uH（誤差5 ）的電感。
電感的基本單位為：亨（H） 換算單位有：1H=103mH=106uH。
flash存儲器又成為閃存，它與eeprom都是掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲器，但是flash的存儲容量都普遍的大于eeprom，在存儲控制上，主要的區(qū)別是flash芯片只能一大片一大片地擦除，而eeprom可以單個字節(jié)擦除。 sram是靜態(tài)隨機存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。stm32f1系列可以通過fsmc外設(shè)來拓展sram。 注意：sram和sdram是不相同的，sdram是同步動態(tài)隨機存儲器，同步是指內(nèi)存工作需要同步時鐘，內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準;動態(tài)是指存儲陣列需要不斷的刷新來數(shù)據(jù)不丟失;隨機是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲，而是自由進行數(shù)據(jù)讀寫。stm32的f1系列是不支持sdram的。 STM32F103VET6 TEF6686AHN/V205 MCIMX6Y2CVM08AB LPC822M101JHI33E 74AVC8T245BQ KSZ8863RLLI KSZ8081MNXIA-TR MCP9700AT-E/LT PIC16F1508-I/SS ATMEGA1284P-AU ICE3PCS01G IRFP4668PBF IR21844STRPBF RT9701PB UT4407G-S08-R UT4411G-S08-R NTR4502PT3G AD8617ARMZ-REEL AD8604ARZ-REEL7 AD8554ARZ-REEL7 AON6370 MCP6292T-E/SN MCP6282T-E/SN MCP6242T-E/SN MCP6232T-E/SN MCP617T-I/SN MCP607T-I/SN MCP6072T-E/SN MCP606T-I/OT RT9193-33GB RT9179PB RT9179GB RT9166-33GVL RT9161A-33GV RT9161-50GV RT9013-33GB RT9013-18GB AO4440 AOD200