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東芝公司的發(fā)明人舛岡富士雄首先提出了快速閃存存儲器（此處簡稱閃存）的概念。與傳統(tǒng)電腦內(nèi)存不同，閃存的特點是nvm，其記錄速度也非常快。
intel是上個生產(chǎn)閃存并將其投放市場的公司。1988年，公司推出了一款256k bit閃存芯片。它如同鞋盒一樣大小，并被內(nèi)嵌于一個錄音機里，intel發(fā)明的這類閃存被統(tǒng)稱為nor閃存。它結(jié)合eprom和eeprom兩項技術(shù)，并擁有一個sram接口。
種閃存稱為nand閃存。它由日立公司于1989年研制，并被認為是nor閃存的理想替代者。nand閃存的寫周期比nor閃存短90 ，它的保存與刪除處理的速度也相對較快。nand的存儲單元只有nor的一半，在更小的存儲空間中nand獲得了的性能。鑒于nand的表現(xiàn)，它常常被應(yīng)用于諸如compactflash、smartmedia、 sd、 mmc、 xd、&pc cards、usb sticks等存儲卡上。
nand 閃存的存儲單元采用串行結(jié)構(gòu)，存儲單元的讀寫是以頁和塊為單位來進行（一頁包含若干字節(jié)，若干頁則組成儲存塊， nand 的存儲塊大小為 8 到 32kb ），這種結(jié)構(gòu)大的點在于容量可以做得很大，超過 512mb 容量的 nand 產(chǎn)品相當普遍， nand 閃存的成本較低，有利于大規(guī)模普及。
nand 閃存的缺點在于讀速度較慢，它的 i/o 端口只有 8 個，比 nor 要少多了。這區(qū)區(qū) 8 個 i/o 端口只能以信號輪流傳送的方式完成數(shù)據(jù)的傳送，速度要比 nor 閃存的并行傳輸模式慢得多。再加上 nand 閃存的邏輯為電子盤模塊結(jié)構(gòu)，內(nèi)部不存在專門的存儲控制器，一旦出現(xiàn)數(shù)據(jù)壞塊將無法修，性較 nor 閃存要差。
ddr4以前瞻性的高傳輸速率、v- 低功耗與更大記憶容量，在2014年下半將導(dǎo)入英特爾工作站／伺服器以及桌上型電腦平臺，并與lp-ddr3存儲器將同時存在一段時間；至于nand flash快閃存儲器也跨入1x 制程，mlc將以islc/eslc自砍容量一半的方式，提升可抹寫次數(shù)（program erase；p/e）來搶占要求耐受度的軍方與工控市場，而c/p值高的tlc從隨碟、記憶卡的應(yīng)用導(dǎo)向低端ssd… ddr4伺服器先行 2016ddr3成為主流回收ROHM進口芯片回收ON邏輯IC 回收idesyn信號放大器回收iwatte/dialog音頻IC 回收semtechSOP封裝IC 回收TOSHIBA進口新年份芯片回收TAIYO/太誘封裝SOP20芯片回收adiMOS管場效應(yīng)管回收安森美路由器交換器芯片回收Vincotech封裝TO-220三極管回收VISHAY升壓IC 回收SAMSUNG車充降壓IC 回收beiling發(fā)動機管理芯片回收鑫華微創(chuàng)收音IC 回收MARVELLMOS管場效應(yīng)管回收NS封裝TO-220三極管回收SGMICRO圣邦微微控制器芯片回收maxim封裝SOP20芯片回收INFINEON發(fā)動機管理芯片回收GENESIS起源微穩(wěn)壓器IC 回收semiment穩(wěn)壓管理IC 回收ncsWIFI芯片回收CJ長電芯片回收semiment網(wǎng)卡芯片回收亞德諾封裝TO-220三極管回收SAMSUNG傳感器芯片回收TAIYO/太誘信號放大器回收PARADE譜瑞穩(wěn)壓器IC 回收美滿MCU電源IC 回收鑫華微創(chuàng)封裝QFN進口芯片回收SAMSUNG微控制器芯片回收ATMLEaurix芯片回收韋克威aurix芯片回收LINEAR降壓恒溫芯片回收瑞薩原裝整盤IC 回收ST意法封裝QFP芯片回收東芝封裝QFP芯片回收adiDOP封裝芯片回收ELITECHIP封裝SOP20芯片回收億盟微藍牙芯片回收松下音頻IC 回收MICRON/美光SOP封裝IC 回收kerost開關(guān)電源IC 回收亞德諾邏輯IC 回收infineonDOP封裝芯片回收kerost發(fā)動機管理芯片回收愛特梅爾信號放大器回收NIKO-SEM尼克森收音IC 回收idesynBGA芯片