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東芝公司的發(fā)明人舛岡富士雄首先提出了快速閃存存儲器（此處簡稱閃存）的概念。與傳統(tǒng)電腦內(nèi)存不同，閃存的特點是nvm，其記錄速度也非常快。
intel是上個生產(chǎn)閃存并將其投放市場的公司。1988年，公司推出了一款256k bit閃存芯片。它如同鞋盒一樣大小，并被內(nèi)嵌于一個錄音機里，intel發(fā)明的這類閃存被統(tǒng)稱為nor閃存。它結合eprom和eeprom兩項技術，并擁有一個sram接口。
種閃存稱為nand閃存。它由日立公司于1989年研制，并被認為是nor閃存的理想替代者。nand閃存的寫周期比nor閃存短90 ，它的保存與刪除處理的速度也相對較快。nand的存儲單元只有nor的一半，在更小的存儲空間中nand獲得了的性能。鑒于nand的表現(xiàn)，它常常被應用于諸如compactflash、smartmedia、 sd、 mmc、 xd、&pc cards、usb sticks等存儲卡上。
nand 閃存的存儲單元采用串行結構，存儲單元的讀寫是以頁和塊為單位來進行（一頁包含若干字節(jié)，若干頁則組成儲存塊， nand 的存儲塊大小為 8 到 32kb ），這種結構大的點在于容量可以做得很大，超過 512mb 容量的 nand 產(chǎn)品相當普遍， nand 閃存的成本較低，有利于大規(guī)模普及。
nand 閃存的缺點在于讀速度較慢，它的 i/o 端口只有 8 個，比 nor 要少多了。這區(qū)區(qū) 8 個 i/o 端口只能以信號輪流傳送的方式完成數(shù)據(jù)的傳送，速度要比 nor 閃存的并行傳輸模式慢得多。再加上 nand 閃存的邏輯為電子盤模塊結構，內(nèi)部不存在專門的存儲控制器，一旦出現(xiàn)數(shù)據(jù)壞塊將無法修，性較 nor 閃存要差。
nor flash的讀取和我們常見的sdram的讀取是一樣，用戶可以直接運行裝載在nor flash里面的代碼，這樣可以減少sram的容量從而節(jié)約了成本。（一般程序運行需要將程序從eprom中讀取到ram中然后運行，但是nor flash可以直接讀取運行。） nor flash帶有sram接口，有足夠的地址引腳來尋址，可以很容易地存取其內(nèi)部的每一個字節(jié)。nor flash占據(jù)了容量為1～16mb閃存市場的大部分。 nand flash回收瑞薩降壓恒溫芯片回收飛思卡爾聲卡芯片回收VISHAY全新整盤芯片回收飛思卡爾原裝整盤IC 回收fsc仙童邏輯IC 回收SGMICRO圣邦微MCU電源IC 回收LINEAR汽車主控芯片回收INFINEON車充降壓IC 回收TAIYO/太誘封裝sot23-5封裝芯片回收海旭封裝QFP144芯片回收infineon封裝QFP芯片回收MICRON/美光發(fā)動機管理芯片回收semiment電源監(jiān)控IC 回收infineon隔離恒溫電源IC 回收VISHAY信號放大器回收VISHAY穩(wěn)壓器IC 回收WINBOND華邦穩(wěn)壓器IC 回收NS網(wǎng)口IC芯片回收SAMSUNGWIFI芯片回收infineon降壓恒溫芯片回收Vincotech網(wǎng)口IC芯片回收ROHM芯片回收infineon穩(wěn)壓管理IC 回收INTERSIL進口新年份芯片回收英飛凌路由器交換器芯片回收ELITECHIP汽車電腦板芯片