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河源回收LATTICE萊迪斯封裝TO-220三極管

作者:深圳市東域電子有限公司 來源:dongtadianzi 發(fā)布時間:2022-10-27 瀏覽:19

25小時在線 158-8973同步7035 可微可電羅姆集團與意法半導體就碳化硅(sic)晶圓長期供貨事宜達成協(xié)議
半導體制造商羅姆和意法半導體(以下簡稱“st”),雙方就碳化硅(以下簡稱“sic”)晶圓由羅姆集團旗下的sicrystal gmbh (以下簡稱“sicrystal”)供應事宜達成長期供貨協(xié)議。在sic功率元器件快速發(fā)展及其需求高速增長的大背景下,雙方達成超1.2億美元的協(xié)議,由sicrystal(sic晶圓生產(chǎn)量歐洲)向st(面向眾多電子設備提供半導體的性半導體制造商)供應的150mm sic晶圓。
2月小米發(fā)布gan充電器65w
小米在2月新品直播發(fā)布會上,發(fā)布了小米gan充電器type-c 65w,采用氮化,高支持65w疾速充電,搭配小米10 pro可實現(xiàn)50w快充,體積小巧便攜。
臺積電將與意法半導體合作,加速gan制程技術(shù)開發(fā)
臺積電與意法半導體合作加速市場采用氮化產(chǎn)品。意法半導體預計今年晚些時候?qū)⒔唤o客戶。臺積電與意法半導體將合作加速氮化(gallium nitride, gan)制程技術(shù)的開發(fā),并將分離式與整合式氮化元件導入市場。透過此合作,意法半導體將采用臺積公司的氮化制程技術(shù)來生產(chǎn)其氮化產(chǎn)品。
英飛凌新增650v產(chǎn)品系列,完備硅、碳化硅和氮化3種技術(shù)
英飛凌科技(infineon)持續(xù)擴展其方位的碳化硅(sic)產(chǎn)品組合,新增650v產(chǎn)品系列。英飛凌新發(fā)表的coolsic mosfet能滿足廣泛應用對于能源效率、功率密度和度不斷提升的需求,包括:服務器、電信和工業(yè)smps、太陽能系統(tǒng)、能源儲存和化成電池、ups、馬達驅(qū)動以及電動車充電等。英飛凌電源管理與多元電子事業(yè)處高壓轉(zhuǎn)換部門協(xié)理steffen metzger說,推出這項產(chǎn)品后,英飛凌在600v/650v電源領域完備了硅、碳化硅和氮化(gan)型功率半導體產(chǎn)品組合。
 flash存儲器又成為閃存,它與eeprom都是掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲器,但是flash的存儲容量都普遍的大于eeprom,在存儲控制上,主要的區(qū)別是flash芯片只能一大片一大片地擦除,而eeprom可以單個字節(jié)擦除。  sram是靜態(tài)隨機存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存,不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。stm32f1系列可以通過fsmc外設來拓展sram。  注意:sram和sdram是不相同的,sdram是同步動態(tài)隨機存儲器,同步是指內(nèi)存工作需要同步時鐘,內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準;動態(tài)是指存儲陣列需要不斷的刷新來數(shù)據(jù)不丟失;隨機是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲,而是自由進行數(shù)據(jù)讀寫。stm32的f1系列是不支持sdram的。 ADM6823TYRJZ ADM6823SYRJZ AD8665ARJZ ATF-52189 MIC5265-3.0YD5 RT6258BGQUF ADG608BRUZ AD8014ARTZ ADG719BRMZ ADG819BRMZ AD7942BCPZ AD7982BCPZ ADG419BRZ AD8029AKSZ-REEL7 AD8591ARTZ AD8561ARU-REEL AGB3307S24Q1 AD8651ARMZ AD8617ARMZ AD8519AKSZ-REEL7 MAX4490AXK-T ADP2384ACPZN CY7C1248KV18-450BZXC CY7C1264XV18-450BZXC CY7C1423KV18-300BZXC

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