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25小時在線 158-8973同步7035 可微可電電阻是應(yīng)用于各種電子設(shè)備的多的電阻類型，無論怎樣安裝，維修者都能方便的讀出其阻值，便于檢測和更換。但在實踐中發(fā)現(xiàn)，有些電阻的排列順序不甚分明，往往容易讀錯，在識別時，可運用如下技巧加以判斷：
技巧1：先找標(biāo)志誤差的，從而排定順序。常用的說電阻誤差的顏色是：金、銀、棕，尤其是金環(huán)和銀環(huán)，一般絕少用做電阻的環(huán)，所以在電阻上只要有金環(huán)和銀環(huán)，就可以基本認定這是電阻的末一環(huán)。
技巧2：棕是否是誤差標(biāo)志的判別。棕既常用做誤差環(huán)，又常作為 數(shù)字環(huán)，且常常在環(huán)和末一環(huán)中同時出現(xiàn)，使人很難識別誰是環(huán)。在實踐中，可以按照之間的間隔加以判別：比如對于一個五道的電阻而言， 五環(huán)和 四環(huán)之間的間隔比環(huán)和環(huán)之間的間隔要寬一些，據(jù)此可判定的排列順序。
技巧3：在僅靠間距還無法判定順序的情況下，還可以利用電阻的生產(chǎn)序列值來加以判別。比如有一個電阻的讀序是：棕、黑、黑、黃、棕，其值為：100×10000=1MΩ誤差為1 ，屬于正常的電阻系列值，若是反順序讀：棕、黃、黑、黑、棕，其值為140×1Ω=140Ω，誤差為1 。顯然按照后一種排序所讀出的電阻值，在電阻的生產(chǎn)系列中是沒有的，故后一種順序是不對的。
flash存儲器又成為閃存，它與eeprom都是掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲器，但是flash的存儲容量都普遍的大于eeprom，在存儲控制上，主要的區(qū)別是flash芯片只能一大片一大片地擦除，而eeprom可以單個字節(jié)擦除。 sram是靜態(tài)隨機存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。stm32f1系列可以通過fsmc外設(shè)來拓展sram。 注意：sram和sdram是不相同的，sdram是同步動態(tài)隨機存儲器，同步是指內(nèi)存工作需要同步時鐘，內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準(zhǔn);動態(tài)是指存儲陣列需要不斷的刷新來數(shù)據(jù)不丟失;隨機是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲，而是自由進行數(shù)據(jù)讀寫。stm32的f1系列是不支持sdram的。 TAS3004PFBR TL5002CDR TPS74801DRCR TPS74801TDRCRQ1 ISL6443IRZ-TK MAX8510EXK28+T MOT3054 SI3010-F-FS DP83901AV DS14C238WM DS14C238WMX ADM202EARNZ-REEL7 AM26C32CNS NC7SZ08M5X NC7SZ126M5X NC7SP57P6X NC7WZ17P6X CLVC1G374QDCKRQ1 TL594CD TXS0101DCKR TIR1000PWR AT24C256W ASM1543 TPS715A33DRVR TLV7113030DDSER MP9495DJ-LF-Z