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25小時(shí)在線 158-8973同步7035 可微可電電感在電路中常用“L”加數(shù)字說(shuō)，如：L3說(shuō)編號(hào)為3的電感。電路板上的電感器
電感線圈是將絕緣的導(dǎo)線在絕緣的骨架上繞一定的圈數(shù)制成。
直流可通過(guò)線圈，直流電阻就是導(dǎo)線本身的電阻，壓降很?。划?dāng)交流信號(hào)通過(guò)線圈時(shí)，線圈兩端將會(huì)產(chǎn)生自感電動(dòng)勢(shì)，自感電動(dòng)勢(shì)的方向與外加電壓的方向相反，阻礙交流的通過(guò)，所以電感的特性是通直流阻交流，頻率越高，線圈阻抗越大。電感在電路中可與電容組成振蕩電路。
電感一般有直標(biāo)法和色標(biāo)法，色標(biāo)法與電阻類似。如：棕、黑、金、金說(shuō)1uH（誤差5 ）的電感。
電感的基本單位為：亨（H） 換算單位有：1H=103mH=106uH。
flash和eeprom的大區(qū)別是flash按扇區(qū)操作，eeprom則按字節(jié)操作，二者尋址方法不同，存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)也不同，flash的電路結(jié)構(gòu)較簡(jiǎn)單，同樣容量占芯片面積較小，成本自然比eeprom低，因而適合用作程序存儲(chǔ)器，eeprom則 的用作非易失的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。當(dāng)然用flash做數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器也行，但操作比eeprom麻煩的多，所以更“人性化”的mcu設(shè)計(jì)會(huì)集成flash和eeprom兩種非易失性存儲(chǔ)器，而廉價(jià)型設(shè)計(jì)往往只有flash，早期可電擦寫型mcu則都是eeprm結(jié)構(gòu)，現(xiàn)在已基本上停產(chǎn)了?，F(xiàn)在的單片機(jī),ram主要是做運(yùn)行時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器,flash主要是程序存儲(chǔ)器,eeprom主要是用以在程序運(yùn)行保存一些需要掉電不丟失的數(shù)據(jù). 1、ram rom和ram指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，rom是read only memory的縮寫，ram是random access memory的縮寫。rom在系統(tǒng)停止供電的時(shí)候仍然可以保持?jǐn)?shù)據(jù)，而ram通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，典型的ram就是計(jì)算機(jī)的內(nèi)存。 sram和dram區(qū)別ram有兩大類：XTR115UA XTR116UA ISO124U OPA322AIDBVR TCA9555RTWR TRS3253EIRSMR INA240A1PWR INA240A2PWR ADS1112IDGSR ADS7953SRHBR DAC7611U TS3A27518ERTWR INA282AIDR DRV8832DGQR TL4242DRJR UC3710T UCC27712DR UCC27524ADR TRF7962ARHBR TRF7970ARHBR TRF7964ARHBR TPS54478RTER TPS74901RGWR OPA4197IDR INA821IDR
