20N65-ASEMI高壓N溝道MOS管20N65

作者：深圳市強(qiáng)元芯電子有限公司來(lái)源：asemi888 發(fā)布時(shí)間：2023-02-13 瀏覽：15

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型號(hào)：20N65

品牌：ASEMI

封裝：TO-220F

漏源電流：100A

漏源擊穿電壓：650V

RDS（ON）Max：0.42Ω

引腳數(shù)量：3

溝道類型：N溝道MOS管

芯片尺寸：MIL

漏電流：

恢復(fù)時(shí)間：5ns

芯片材質(zhì)：

封裝尺寸：如圖

特性：高壓MOS管、N溝道MOS管

工作結(jié)溫：-55℃~150℃

20N65場(chǎng)效應(yīng)管

20N65的電性參數(shù)：漏源電流20A；漏源擊穿電壓650V

特征：

低固有電容。

出色的開(kāi)關(guān)特性。

擴(kuò)展操作區(qū)域。

無(wú)與倫比的柵極電荷：Qg=75 nC（典型值）。

BVDSS=650V，ID=20A

RDS（開(kāi)）:0.42? （值）@VG=10V

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