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ASE65R330-ASEMI高壓N溝道MOS管ASE65R330
型號：ASE65R330
品牌：ASEMI
封裝：TO-220F
大漏源電流：12.5A
漏源擊穿電壓：650V
RDS（ON）Max：0.33mΩ
引腳數(shù)量：3
溝道類型：N溝道MOS管
芯片尺寸：MIL
漏電流：
恢復(fù)時間：5ns
芯片材質(zhì)：
封裝尺寸：如圖
特性：高壓MOS管、N溝道MOS管
工作結(jié)溫：-55℃~150℃
ASE65R330場效應(yīng)管
ASE65R330的電性參數(shù)：大漏源電流12A；漏源擊穿電壓650V
特征：
低固有電容。
出色的開關(guān)特性。
擴展操作區(qū)域。
無與倫比的柵極電荷：Qg=75 nC（典型值）。
BVDSS=650V，Id=12.5A
RDS（開）:0.33m? （大值）@VG=10V
