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伯東 KRI 雙離子源輔助離子束濺射技術(shù)獲取高反射吸收Ta2O5薄膜

作者:伯東企業(yè)(上海)有限公司 來(lái)源:hakuto 發(fā)布時(shí)間:2023-05-29 瀏覽:11
伯東 KRI 雙離子源輔助離子束濺射技術(shù)獲取高反射吸收Ta2O5薄膜

為了獲取高性能紫外激光薄膜元件, 急需研制紫外高吸收薄膜, 某研究所采用伯東 KRI 雙輔助離子束濺射沉積技術(shù)鍍制 Ta2O薄膜進(jìn)行研究.

 

其系統(tǒng)工作示意圖如下:

 

 

該研究所的離子束濺射鍍膜組成系統(tǒng)主要由濺射室、雙、濺射靶、基片臺(tái)等部分組成.

 

其中雙離子源中的一個(gè)離子源適用于濺射靶材, 另個(gè)離子源是用于基材的預(yù)清洗.

 

用于濺射的離子源采用伯東的 KRI 聚焦型, 其參數(shù)如下:

 

伯東 KRI 聚焦型射頻 RFICP 380 技術(shù)參數(shù):

射頻型號(hào)

RFICP 380

Discharge 陽(yáng)極

射頻 RFICP

離子束流

>1500 mA

離子動(dòng)能

100-1200 V

柵極直徑

30 cm Φ

離子束

聚焦

流量

15-50 sccm

通氣

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型壓力

< 0.5m Torr

長(zhǎng)度

39 cm

直徑

59 cm

中和器

LFN 2000

 

推薦理由:

聚焦型濺射離子源一方面可以增加束流密度, 提高濺射率; 另一方面減小離子束的散射面積, 減少散射的離子濺射在靶材以外的地方引起污染

 

用于預(yù)清洗的離子源是采用伯東 KRI 霍爾離子源 Gridless eH 3000

 

KRI  Gridless eH 3000 技術(shù)參數(shù):

型號(hào)

 


eH3000LO
eH3000MO

Cathode/Neutralizer

HC

電壓

50-250V
50-300V
50-250V

電流

20A
10A
15A

散射角度

>45

可充其他

Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others

氣體流量

5-100sccm

高度

6.0“

直徑

9.7“

水冷

可選

 

其濺射室需要沉積前本底真空抽到 1×10-5Pa, 經(jīng)推薦采用伯東, 其技術(shù)參數(shù)如下:

進(jìn)氣法蘭

氮?dú)獬樗?br />  N2,l/s

極限真空 hpa

前級(jí)泵

型號(hào)

前級(jí)泵抽速
 m3/h

前級(jí)真空
安quan閥

DN 40 ISO-KF

35

< 1X10-7

Pascal 2021

18

AVC 025 MA

 

運(yùn)行結(jié)果:

伯東 KRI 雙離子源輔助離子束濺射技術(shù)可以制備不同吸收率的355nm高反射吸收 Ta2O薄膜.

 

伯東是德國(guó)  , , , , 美國(guó)  , 美國(guó), 美國(guó)  , 美國(guó) Ambrell 和日本 NS 等進(jìn)口品牌的指定代理商.

 

 

若您需要進(jìn)一步的了解詳細(xì)信息或討論, 請(qǐng)參考以下聯(lián)絡(luò)方式:

上海伯東: 羅先生                               臺(tái)灣伯東: 王女士
T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958
                    

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