2025年中國用于EUV光刻的碳納米管薄膜市場全景調(diào)研及投資前景預測分析報告

一、

隨著全球半導體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，極紫外光刻（EUV）技術(shù)已成為先進制程不可或缺的關鍵技術(shù)。EUV光刻技術(shù)對材料的要求極為嚴苛，尤其是在光掩模保護膜方面，傳統(tǒng)材料已難以滿足日益提升的工藝需求。碳納米管薄膜（Carbon Nanotube Film，CNT Film）因其優(yōu)異的力學性能、熱穩(wěn)定性和導電性，逐漸成為EUV光刻掩膜保護膜的理想候選材料。2025年，中國對用于EUV光刻的碳納米管薄膜的研發(fā)與應用進入關鍵階段，市場需求快速增長，產(chǎn)業(yè)鏈日益完善。

二、市場發(fā)展背景

1. 技術(shù)推動背景 EUV光刻技術(shù)采用13.5nm波長的極紫外光，對掩膜材料的透過率、熱膨脹系數(shù)及機械強度要求極高。傳統(tǒng)DARC（Dielectric AntiReflective Coating）或Crbased薄膜難以滿足高精度、高耐久性需求。碳納米管薄膜因其優(yōu)異的機械強度和熱導率，能夠有效減少掩膜熱變形，提升光刻精度。

2. 政策支持 中國政府在“十四五”規(guī)劃中將gd半導體材料列為ggcd支持方向，碳納米管薄膜作為關鍵材料被列入“新材料重大專項”。2025年，國家科技部聯(lián)合地方政府推動“EUV材料國產(chǎn)化工程”，對碳納米管薄膜的研發(fā)和應用提供資金支持。

3. 產(chǎn)業(yè)推動 中國本土光刻機制造企業(yè)如上海微電子（SMEE）正加速推進國產(chǎn)EUV光刻機的研發(fā)，對于關鍵材料的國產(chǎn)化需求日益迫切。碳納米管薄膜作為核心材料之一，成為投資熱點。

三、市場現(xiàn)狀分析

1. 市場規(guī)模 2025年中國用于EUV光刻的碳納米管薄膜市場規(guī)模預計達到12億元人民幣，年復合增長率超過35%。盡管仍處于導入期，但已吸引眾多材料企業(yè)和科研機構(gòu)參與布局。

2. 主要企業(yè)分布 ，中國碳納米管薄膜生產(chǎn)企業(yè)主要包括：

蘇州錦富新材：專注于高性能納米材料的研發(fā)與生產(chǎn)； 深圳德方納米：已實現(xiàn)碳納米管薄膜的大規(guī)模制備； 清華大學與中科院相關聯(lián)合實驗室：在薄膜結(jié)構(gòu)調(diào)控與應用驗證方面處于領先地位； 華為材料實驗室：聯(lián)合產(chǎn)業(yè)鏈上下游推動國產(chǎn)材料驗證。

3. 技術(shù)突破方向 高均勻性薄膜制備技術(shù)：解決薄膜厚度不均問題； 自支撐式碳納米管薄膜：提升機械強度與熱穩(wěn)定性； 與EUV掩模工藝的兼容性驗證：包括透光率、反射率及熱膨脹系數(shù)等關鍵參數(shù)。

四、產(chǎn)業(yè)鏈分析

1. 上游 上游主要包括碳納米管原料（如單壁碳納米管、多壁碳納米管）供應商、化工助劑及制造設備。代表企業(yè)包括：青島天華院、深圳貝特瑞等。

2. 中游 中游為碳納米管薄膜制造企業(yè)，負責薄膜成型、加工、檢測等環(huán)節(jié)。當前該環(huán)節(jié)技術(shù)門檻高，具備自主知識產(chǎn)權(quán)的企業(yè)較少。

3. 下游 下游主要為EUV掩模制造廠商及光刻設備廠商，如清芯半導體、上海微電子、中芯國際等。碳納米管薄膜通過掩模制造商進入光刻設備廠，最終應用于晶圓制造環(huán)節(jié)。

五、投資前景分析

1. 政策紅利釋放 2025年，國家在半導體材料領域進一步加大投入，碳納米管薄膜作為“卡脖子”環(huán)節(jié)材料受到重點關注。預計中央與地方政府將聯(lián)合設立專項基金，推動材料國產(chǎn)化進程。

2. 市場空間廣闊 根據(jù)SEMI預測，全球EUV光刻機裝機量在2025年將突破150臺，中國將占到30%以上。以每臺設備年需掩模材料約500萬元計算，僅掩模保護膜市場空間即可達2.25億元，若碳納米管薄膜逐步實現(xiàn)替代，其市場潛力將進一步釋放。

3. 技術(shù)轉(zhuǎn)化加速 科研機構(gòu)與企業(yè)合作日益緊密，技術(shù)從實驗室到產(chǎn)業(yè)化的周期正在縮短。2025年，多個ggj中試平臺建成，為碳納米管薄膜的產(chǎn)業(yè)化提供保障。

4. 投資風險提示 技術(shù)成熟度仍需提升； 與國外成熟材料（如DARC、