英特爾推出的X25-M固態(tài)硬盤(pán)憑借優(yōu)異的性能表現(xiàn)一舉俘獲了諸多用戶(hù)的心。時(shí)隔一年,英特爾再次推出了第二代X25-MSSD固態(tài)硬盤(pán),G2版X25-M基于新的34nm技術(shù),所以容量也輕松翻倍,達(dá)到160GB。
英特爾X25-M 34納米G2固態(tài)硬盤(pán)外包裝內(nèi)部
英特爾X25-M34納米G2固態(tài)硬盤(pán)牛皮紙包裝盒,包裝內(nèi)部很簡(jiǎn)單,只有一個(gè)透明塑料袋,產(chǎn)品置于其中,旁邊海綿保護(hù)以及說(shuō)明書(shū)。
英特爾X25-M 34納米G2固態(tài)硬盤(pán)正面外觀
英特爾X25-M34納米G2固態(tài)硬盤(pán)使用銀色為主色調(diào),正面具有產(chǎn)品詳細(xì)編號(hào)。英特爾X25-M34納米固態(tài)硬盤(pán)適用于筆記本電腦和臺(tái)式機(jī),有80GB和160GB兩個(gè)版本可供選擇。與上一代相比,英特爾X25-M34納米160GB固態(tài)硬盤(pán)持續(xù)順序讀寫(xiě)速度仍然分別為250MB/秒和70MB/秒,但延遲時(shí)間則提高到65納秒讀取和85納秒寫(xiě)入。
英特爾X25-M 34納米G2固態(tài)硬盤(pán)背面外觀
英特爾X25-M34納米G2固態(tài)硬盤(pán)可以向下兼容當(dāng)前的50納米版本,而且可以向下兼容并替代傳統(tǒng)硬盤(pán)(HDD)。英特爾X25-M34納米G2固態(tài)硬盤(pán)隨機(jī)寫(xiě)入性能提高了兩倍,這讓X25-M遙遙{lx1}于同類(lèi)SSD。X25-M的4KB寫(xiě)入IOPS高達(dá)6600次,讀取IOPS也高達(dá)3.5萬(wàn)次,為SSD樹(shù)立了新標(biāo)準(zhǔn),與IOPS只有幾百次的HDD相比更是不可同日而語(yǔ)。
英特爾X25-M 34納米固態(tài)硬盤(pán)編號(hào)
英特爾X25-M 34納米G2固態(tài)硬盤(pán)編號(hào)非常繁雜,產(chǎn)地為中國(guó),該產(chǎn)品采用了多層單元MLCNAND閃存芯片。英特爾X25-M34納米G2固態(tài)硬盤(pán)與上一代的50納米版本相比,不僅減少了延遲,而且顯著增加了隨機(jī)寫(xiě)入輸入/輸出運(yùn)算次數(shù)(IOPS)。
編輯評(píng)語(yǔ):英特爾X25-MG2固態(tài)硬盤(pán)基于{zx1}的34納米制程工藝,采用MLCFlash閃存芯片,讀取速度達(dá)到200MB/S以上,性能叫{dy}代產(chǎn)品提升明顯。
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