公司成立于1999年，現(xiàn)注冊資本為3.25億元。是國內最早引進MOCVD設備，專業(yè)從事化合物半導體外延片及光電子器件研發(fā)與生產的高新技術企業(yè)。擁有完整的產業(yè)鏈，是國內同行業(yè){wy}同時具有全色域LED、民用LD外延材料制備、管芯生產、器件封裝及應用產品ytl生產技術的企業(yè)，是國內規(guī)模{zd0}的激光二極管芯片生產企業(yè)，在國內光電子行業(yè)處于{lx1}地位。主要產品有：半導體高亮度發(fā)光二極管（LED）和民用激光二極管（LD）外延片、芯片、器件和應用產品。 浪潮華光率先在業(yè)內通過了ISO9001質量體系認證和ISO14001環(huán)境管理體系認證。 業(yè)界地位上，浪潮華光是中國光學光電子行業(yè)協(xié)會光電器件分會副理事長單位、工信部半導體照明技術標準工作組成員單位、中國半導體照明產業(yè)聯(lián)盟理事單位、山東省半導體照明產業(yè)聯(lián)盟理事長單位。 浪潮華光先后成為山東省光電子工程技術中心及山東省企業(yè)技術中心、山東省半導體照明工程技術中心、山東省半導體發(fā)光材料與器件工程實驗室。 科研成果上，浪潮華光承擔了多項國家“863”項目，其“產學研”合作模式被業(yè)界公認為中國光電子產業(yè)成功典范。浪潮華光共獲得各類技術成果160多項，其中獲省級以上鑒定成果9項，技術水平達到國際先進水平，擁有自主知識產權。 知識產權的發(fā)展上，共申報專利百余項。項目申報和驗收上，共獲批25個包含國家科技部“863”計劃、國家工信部、國家發(fā)改委專項、山東省科技廳等在內的政府項目。浪潮華光還作為工信部半導體照明技術標準工作組成員單位，承擔了6項行業(yè)標準的制定工作。 科研隊伍上，浪潮華光擁有由一批富有光電子材料及器件理論和技術基礎的博士生導師、教授、研究員、博士、碩士和高級工程師、工程師組成的科研隊伍。其中，董事長辛衛(wèi)華研究員是“機電部有突出貢獻專家”，享受“國務院特殊津貼”；總經理鄭鐵民研究員是享受國務院特殊津貼的專家，山東省專業(yè)技術拔尖人才。常務副總技術帶頭人徐現(xiàn)剛博士，是教育部{dy}批長江學者特聘教授，國家杰出青年基金獲得者。企業(yè)技術總指導和名譽董事長為國家“863”計劃新材料領域原首席科學家、中科院蔣民華院士。技術支持單位山東大學擁有達到國際先進水平的晶體ggcd實驗室，在半導體光電子材料與器件方面取得一系列高水平的研究成果并成功產業(yè)化。 從宏觀產銷規(guī)模上看，浪潮華光的產品半導體激光二極管產銷量穩(wěn)居國內{dy}；LED芯片性能指標位居國內{lx1}水平，產銷量居國內前茅。銷售網絡遍布全國各地，在深圳、臨海、重慶、蘇州、溫州等地設立了辦事處，客戶利用我們的管芯生產的產品遠銷美洲、歐洲及東南亞各國。 浪潮華光作為山東省光電子產業(yè)的龍頭，規(guī)模宏大，擁有濟南、濰坊、臨沂三市協(xié)調發(fā)展的四大產業(yè)基地。 一廠，即山東華光光電子有限公司，成立于1999年。廠址在濟南市高新區(qū)，占地43畝，建筑面積5000 m²。 二廠，即山東浪潮華光光電子股份有限公司，成立于2004年9月。廠址設在濰坊市高新區(qū)，占地151畝，園區(qū)總規(guī)劃建筑面積90000 m²。一期項目完成總建筑面積35000 m²，建成了目前中國{zd0}的單體LED廠房，僅凈化車間面積就達11000 m²。二期工程建設總投資10億元，購置工藝設備儀器2600臺套，新建廠房50000 m²。 三廠，即山東省{zd0}光電子項目――浪潮（濟南）光電子產業(yè)園，于09年11月5日在正式奠基開工。三廠規(guī)劃總投資40億元，占地242畝，建筑面積16萬平米，計劃用5-8年的時間，建設成為擁有60臺套MOCVD設備。項目建成并達產后將實現(xiàn)年銷售收入90億元，利稅20.8億元。 四廠，成立于2009年4月。廠址設在臨沂市，園區(qū)總規(guī)劃建筑面積120000 m²，備年生產LED路燈10萬盞的能力。 浪潮華光的發(fā)展思路是充分利用自有的知識產權和產學研結合的研發(fā)優(yōu)勢，實現(xiàn)大規(guī)模生產，擴大產品的品種,建起世界先進的光電子研發(fā)和生產線，逐步把公司建成國內{lx1}、國際知名的光電子產品研發(fā)及產業(yè)化基地，以{yl}的業(yè)績回報股東，服務社會，實現(xiàn)員工的自身價值。