東莞市鼎偉靶材有限公司是專業(yè)生產(chǎn)純屬材料，蒸鍍膜材料以及濺射靶材的技術(shù)企業(yè)應(yīng)用的科技型民營股份制工貿(mào)有限公司。公司以青島大學和青島科技大學蒸材料專業(yè)為技術(shù)依托，擁有多名中級專業(yè)技術(shù)人員和專業(yè)化應(yīng)用實驗室，有很強的蒸材料能力。公司先后研的蒸材料、濺射靶材系列產(chǎn)品廣泛應(yīng)用到國內(nèi)外眾多知名子、太陽能企業(yè)當中，以較的價比，成功替代了國外進口產(chǎn)品，頗受用戶好評。

Pd鈀靶材

東莞市鼎偉靶材有限公司

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公司主要經(jīng)營產(chǎn)品： 

一、真空鍍膜材料 

1．純真空濺射靶材（99.9％——99.999％）

純屬靶材：鋯靶Zr、鉻靶Cr、鈦靶Ti、鋁靶Al、錫靶Sn、釩靶V、銻靶Sb、銦靶、硼靶B、鎢靶W、錳靶Mn、鉍靶Bi、銅靶Cu、石墨靶C、硅靶 Si、鉭靶 Ta、鋅靶Zn、鎂靶Mg、鈮靶Nb、鉬靶Mo、鈷靶Co、鐵靶Fe、鍺靶Ge、鉿靶Hf、鉛靶Pb、鎳靶Ni、銀靶Ag、硒靶Se、鈹靶Be、碲靶Te、不銹鋼靶材S.S等……

多元合靶材： 鈦鋁靶Ti-Al、鈦鋯靶Ti-Zr、鈦硅靶Ti-Si、鈦鎳靶Ti-Ni、鎳鉻靶Ni-Gr、鎳鋁靶Ni-Al、鎳釩靶Ni-V、鎳鐵靶Ni-Fe、鐵鈷靶Fe-Co、鋁硅靶Al-Si、鈦硅靶Ti-Si、鉻硅靶Cr-Si、鋅鋁靶Zn-Al、鈦鋅靶材Ti-Zn、鋁硅銅靶Al-Si-Cu等……

陶瓷濺射靶材：ITO靶、單晶硅靶、多晶硅靶、一氧化硅靶SiO、二氧化硅靶SiO2、二氧化鈦靶TiO2、氧化鋯靶ZrO2、二硼化鈦靶TiB2、氧化鎂靶MgO、碳化硼靶BC、氮化硼靶BN、碳化硅靶SiC、三氧化二釔靶Y2O3、五氧化二釩靶V2O5、氧化鋅靶ZnO、硫化鋅靶ZnS、硫化鉬靶MoS、硫化鎢靶WS、氧化鋅鋁靶ZAO、氧化鋁靶Al2O3、鈦酸鍶靶SrTiO3、五氧化二鉭靶Ta2O5、五氧化二鈮靶Nb2O5、氧化鋅鎵靶ZGO、氧化鋅硼靶ZBO、砷化鎵靶GaAs，磷化鎵靶GaP，硒化鋅靶、錳酸鋰靶、鎳鈷酸鋰靶、鉭酸鋰靶，鈮酸鋰靶、等… 

稀土屬靶：鑭靶、鈰靶、鐠靶、釹靶、釤靶、銪靶、釓靶、鋱靶、鏑靶、鈥靶、鉺靶、銩靶、鐿靶、镥靶、釔靶等… 

稀土氧化物靶：氧化鑭靶、氧化鈰靶、氧化鐠靶、氧化釤靶、氧化銪靶、氧化釹靶、氧化釓靶、氧化鋱靶、氧化鏑靶、氧化鈥靶、氧化鉺靶、氧化銩靶、氧化鐿靶、氧化镥靶 

屬膜阻器用Ni-Cr-Si/ Ni-Cr-Mn-Cu濺射靶材：

屬膜阻器用靶材括阻系列（ZYG）、中阻系列（ZYZ）和低阻系列（ZYC）、超低阻系列（ZYCD）。

2．純光學鍍膜材料（99.99％——99.999％）

氧化物：一氧化硅、二氧化硅、一氧化鈦、二氧化鈦、三氧化二鈦、五氧化三鈦、二氧化鋯、二氧化鉿、二氧化鈰、二鈦酸鐠、三氧化鎢、五氧化二鉭、五氧化二鈮、三氧化二鈧、三氧化二鋁、三氧化二銦、氧化鐿、氧化鋅、氧化鎂、氧化釓、氧化釤、氧化釹、氧化鈣、氧化鐠、氧化鉍、氧化鉻、氧化鎳、氧化銅、氧化鐵、氧化釩等… 

氟化物：氟化鎂、氟化鈣、氟化釹、氟化鑭、氟化鐿、氟化釔、氟化鉺、氟化釤、氟化鏑、氟化鈰、氟化鋇、氟化鍶、氟化鉀、氟化鈉等… 

硫化物：硫化鋅、硫化鉬、硫化鈣、硫化銻、硫化鐵、硫化鈉等…

物以稀為貴。釕、銠、鈀、鋨、銥、鉑6個元素在地殼中的含量都非常少。除了鉑在地殼中的含量為億分之五、鈀在地殼中的含量為億分之一外，釕、銠、鋨、銥4個元素在地殼中的含量都只有十億分之一。又由于它們多分散于各種礦石之中，很少形成大的聚集，所以價格昂貴。這6個元素在化學稱作鉑族元素，加已經(jīng)介紹過的銀和，就是我們常說的貴屬。

純Pd鈀靶材廠家：鈀靶、鈀粒、鈀片、鈀粉

純度：3N 、3N5、4N

規(guī)格：鈀靶（平面圓靶，方靶，旋轉(zhuǎn)靶，臺階靶均可加工，規(guī)格戶要求定做）

      鈀粒（不規(guī)則顆粒1-5mm,10*10*1mm片狀，其他規(guī)格定做）

      鈀片（10*10*1mm,根據(jù)戶要求定做）

      鈀粉（根據(jù)戶要求定做）

純Ir銥：銥靶、銥粒、銥片、銥粉

純度：3N 、3N5、4N、4N5

規(guī)格：銥靶（平面圓靶，方靶，旋轉(zhuǎn)靶，臺階靶均可加工，規(guī)格戶要求定做）    銥粒（規(guī)格Φ2*5mm,Φ2*10mm，其他規(guī)格定做）

      銥片（根據(jù)戶要求定做）

          銥粉（根據(jù)戶要求定做）T18937853784(不是聯(lián)系方式)

純鉑：鉑靶、鉑粒、鉑絲、鉑極、鉑片、鉑粉

純度：3N 、3N5、4N、4N5、5N

規(guī)格：鉑靶（平面圓靶，方靶，旋轉(zhuǎn)靶，臺階靶均可加工，規(guī)格戶要求定做）    鉑粒（規(guī)格Φ2*5mm,Φ2*10mm，其他規(guī)格定做）

      鉑絲（Φ0.2mm、Φ0.3mm、Φ0.5mm、Φ1mm其他規(guī)格定做）

      鉑片（根據(jù)戶要求定做）

       鉑粉（根據(jù)戶要求定做）

純Ru釕：釕靶、釕粒、釕塊、釕片、釕粉

純度：3N 、3N5、4N、4N5

規(guī)格：釕靶（平面圓靶，方靶，旋轉(zhuǎn)靶，臺階靶均可加工，規(guī)格戶要求定做）    釕塊（不規(guī)則塊狀，塊狀大可根據(jù)戶要求）

          釕粉（根據(jù)戶要求定做）

純Rh銠：銠靶、銠粒、銠塊、銠粉

純度：3N 、3N5、4N

規(guī)格：銠靶（平面圓靶，方靶，旋轉(zhuǎn)靶，臺階靶均可加工，規(guī)格戶要求定做）    銠塊（不規(guī)則塊狀，塊狀大可根據(jù)戶要求）

          銠粉（根據(jù)戶要求定做）

靶材的分類方法很多。根據(jù)材料的種類，靶材括屬及合靶材、無機非屬靶材和復(fù)合靶材等。無機非屬靶材又分為氧化物、硅化物、氮化物和氟化物等不同種類。根據(jù)不同的幾何形狀，靶材分為長（正）方體形靶材、圓柱體形靶材和不規(guī)則形狀靶材。此外，靶材還可分為實心和空心!種類型。常規(guī)的長（正）方體形和圓柱體形磁控濺射靶為實心的，是以圓環(huán)形永磁體在靶材表面建立環(huán)形磁場，在軸間等距離的環(huán)形表面形成刻蝕區(qū)，因而影響沉積薄膜厚度的均勻，而且靶材的利用率僅為!"30%

氧化鋯陶瓷        

濺射靶材          

黃靶材    

工業(yè)陶瓷       

靶材廠家      

靶材          

氧化鋯陶瓷棒      

機械陶瓷配件  

子槍燈絲         

【原創(chuàng)內(nèi)容】
濺射工藝進行過程中靶表面濺射溝道區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)被反應(yīng)生成物覆蓋或反應(yīng)生成物被剝離而重暴露屬表面此消彼長的過程。如果化合物的生成速率大于化合物被剝離的速率，化合化合物覆蓋面積加的速率得不到抑制，濺射溝道將進一步被化合物覆蓋，當濺射靶被化合物全部覆蓋的時候，靶wq中一、背靶材料無氧銅(OFC)–目前最常使用的作背靶的材料物覆蓋面積加。在一定功率的況下，參與化合物生成的反應(yīng)氣體量加，化合物生成率加。如果反應(yīng)氣體量加過度，化合物覆蓋面積加，如果不能及時調(diào)整反應(yīng)氣體流量，直接影響真空度獲得和加成膜失敗的可能。短路或靶材起弧，成膜表面粗糙及化學雜質(zhì)含量超標經(jīng)常是由于不潔凈的濺射室、濺射槍和靶材引起的。為保持鍍膜的成分特，濺射用。靶材進行預(yù)濺射時建議慢慢加大濺射功率，陶瓷類靶材的功率加大速率建議為1.5W時/平方厘米。屬類靶材的預(yù)濺射速度可以比陶瓷靶材塊，一個合理的功率加大速率為用。靶材進行預(yù)濺射時建議慢慢加大濺射功率，陶瓷類靶材的功率加大速率建議為1.5W時/平方厘米。屬類靶材的預(yù)濺射速度可以比陶瓷靶材塊，一個合理的功率加大速率為其是采用屬銦進行帖合的比較容易進行清潔和重使用。如果是采用其他帖合劑（括環(huán)氧樹脂）則可能需要采用機械處理的方式對背靶表面處理后才能重復(fù)使用。當我們收到用戶用戶對背靶的檢查結(jié)果，如我們現(xiàn)有需要維修的地方會書面通知戶并提供維修報價。影響靶材中的因素主要是反應(yīng)氣體和濺射氣體的比例，反應(yīng)氣體過量就會導致靶中。反應(yīng)