150度高溫EEPROM存儲(chǔ)器
我司供應(yīng)如下高溫產(chǎn)品：
150度175度高溫晶振，150度高溫單片機(jī)，150度175度200度以上高溫電容，155度175度200度以上高溫電阻，165度200度高溫電感，150度175度高溫存儲(chǔ)器，150度175度200度高溫AD，150度175度210度高溫運(yùn)放，200度壓力傳感器，23芯高溫連接器，各種集成電路等。
測(cè)試策略：三個(gè)獨(dú)立的測(cè)試：數(shù)據(jù)總線的測(cè)試、地址總線的測(cè)試以及設(shè)備的測(cè)試。前面兩個(gè)測(cè)試針對(duì)電子連線的問(wèn)題以及芯片的不正確插入；第三個(gè)測(cè)試更傾向于檢測(cè)芯片的有無(wú)以及災(zāi)難性失效。作為一個(gè)意外的結(jié)果，設(shè)備的測(cè)試也可以發(fā)現(xiàn)控制總線的問(wèn)題，盡管它不能提供關(guān)于問(wèn)題來(lái)源的有用信息。執(zhí)行這三個(gè)測(cè)試的順序是重要的。正確的順序是：首先進(jìn)行數(shù)據(jù)總線測(cè)試，接著是地址總線測(cè)試，{zh1}是設(shè)備測(cè)試。那是因?yàn)榈刂房偩€測(cè)試假設(shè)數(shù)據(jù)總線在正常工作，除非數(shù)據(jù)總線和地址總線已知是正常的，否則設(shè)備測(cè)試便毫無(wú)意義。如果任何測(cè)試失敗，你都應(yīng)該和一個(gè)硬件工程師一起確定問(wèn)題的來(lái)源。通過(guò)查看測(cè)試失敗處的數(shù)據(jù)值或者地址，應(yīng)該能夠迅速地找出電路板上的問(wèn)題。 高溫存儲(chǔ)器150度
北京啟爾特石油科技新到一批150度高溫存儲(chǔ)器，此款存儲(chǔ)器存儲(chǔ)容量256kb，溫度可到175度，很多客戶采用串聯(lián)方式使用，適用于隨鉆儀器及其他石油測(cè)井勘探領(lǐng)域，感興趣的客戶，歡迎來(lái)電咨詢！
引導(dǎo)存儲(chǔ)器：在較大的微控制器系統(tǒng)或基于處理器的系統(tǒng)中，設(shè)計(jì)工程師可以利用引導(dǎo)碼進(jìn)行初始化。應(yīng)用本身通常決定了是否需要引導(dǎo)碼，以及是否需要專門(mén)的引導(dǎo)存儲(chǔ)器。例如，如果沒(méi)有外部的尋址總線或串行引導(dǎo)接口，通常使用內(nèi)部存儲(chǔ)器，而不需要專門(mén)的引導(dǎo)器件。但在一些沒(méi)有內(nèi)部程序存儲(chǔ)器的系統(tǒng)中，初始化是操作碼的一部分，因此所有碼都將駐留在同一個(gè)外部程序存儲(chǔ)器中。某些微控制器既有內(nèi)部存儲(chǔ)器也有外部尋址總線，在這種情況下，引導(dǎo)碼將駐留在內(nèi)部存儲(chǔ)器中，而操作碼在外部存儲(chǔ)器中。這很可能是zaq的方法，因?yàn)楦淖儾僮鞔a時(shí)不會(huì)出現(xiàn)意外地修改引導(dǎo)碼。在所有情況下，引導(dǎo)存儲(chǔ)器都必須是非易失性存儲(chǔ)器。
原裝進(jìn)口150度高溫存儲(chǔ)器
北京啟爾特石油科技新到一批150度高溫存儲(chǔ)器，此款存儲(chǔ)器存儲(chǔ)容量256kb，溫度可到175度，很多客戶采用串聯(lián)方式使用，適用于隨鉆儀器及其他石油測(cè)井勘探領(lǐng)域，感興趣的客戶，歡迎來(lái)電咨詢！
EEPROM與閃存存儲(chǔ)器：技術(shù)的成熟使得RAM和ROM之間的界限變得很模糊，如今有一些類(lèi)型的存儲(chǔ)器(如EEPROM和閃存)組合了兩者的特性。這些器件像RAM一樣進(jìn)行讀寫(xiě)，并像ROM一樣在斷電時(shí)保持?jǐn)?shù)據(jù)，它們都可電擦除且可編程，但各自有它們優(yōu)缺點(diǎn)。從軟件角度看，獨(dú)立的EEPROM和閃存器件是類(lèi)似的，兩者主要差別是EEPROM器件可以逐字節(jié)地修改，而閃存器件只支持扇區(qū)擦除以及對(duì)被擦除單元的字、頁(yè)或扇區(qū)進(jìn)行編程。對(duì)閃存的重新編程還需要使用SRAM，因此它要求更長(zhǎng)的時(shí)間內(nèi)有更多的器件在工作，從而需要消耗更多的電池能量。設(shè)計(jì)工程師也必須確認(rèn)在修改數(shù)據(jù)時(shí)有足夠容量的SRAM可用。存儲(chǔ)器密度是決定選擇串行EEPROM或者閃存的另一個(gè)因素。市場(chǎng)上可用的獨(dú)立串行EEPROM器件的容量在128KB或以下，獨(dú)立閃存器件的容量在32KB或以上。
