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12年專注于整流橋及肖特基二極管的研發(fā)與生產(chǎn)，致力于半導(dǎo)體行業(yè)，專注電源領(lǐng)域，  我們始終秉持“產(chǎn)品精益求精”、“滿足并超越客戶需求”的經(jīng)營理念，為客戶提供全方位的服務(wù)。
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型號(hào)：TT8M

封裝：TMBF

電流：8A

電壓：1000V

特性：小貼片整流橋

應(yīng)用范圍：小功率開關(guān)電源，充電器，電源適配器，LED燈整流器等相關(guān)電器產(chǎn)品。

相比傳統(tǒng)充電器，它有哪些優(yōu)勢？

充電效率高。氮化鎵的帶隙比硅高得多，這意味著它可以隨時(shí)間傳導(dǎo)更高的電壓。帶隙較大也意味著電流可以比硅更快地流過GaN制成的芯片，從而可以更快地進(jìn)行處理，充電更快。



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