KRI RFICP 40
上海伯東代理美國原裝進口 KRI RFICP 40 : 目前 KRI RFICP 系列尺寸最小, 低成本離子源. 適用于集成在小型的真空腔體內(nèi). RFICP 40 設計采用創(chuàng)新的柵極技術用于研發(fā)和開發(fā)應用. RFICP 40 無需電離燈絲設計, 適用于通氣氣體是活性氣體時的工業(yè)應用. 標準配置下 RFICP 40 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 120 mA.
RFICP 40 特性:
1. 離子源放電腔 Discharge Chamber, 無需電離燈絲, 通過射頻技術提供高密度離子, 工藝時間更長.
2. 離子源結(jié)構模塊化設計, 使用更簡單; 基座可調(diào)節(jié), 優(yōu)化蝕刻率和均勻性.
3. 提供聚焦, 發(fā)散, 平行的離子束
4. 離子源自動調(diào)節(jié)技術保障柵極的使用壽命和可重復的工藝運行
5. 柵極材質(zhì)鉬和石墨,堅固耐用
6. 離子源中和器 Neutralizer, 測量和控制電子發(fā)射,確保電荷中性
KRI RFICP 40 技術參數(shù):
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型號
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RFICP 40
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Discharge 陽極
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RF 射頻
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離子束流
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>100 mA
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離子動能
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100-1200 V
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柵極直徑
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4 cm Φ
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離子束
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聚焦, 平行, 散射
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流量
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3-10 sccm
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通氣
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Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
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典型壓力
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< 0.5m Torr
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長度
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12.7 cm
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直徑
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13.5 cm
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中和器
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LFN 2000
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KRI RFICP 40 應用領域：
預清洗
表面改性
輔助鍍膜 (光學鍍膜 ) IBAD,
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結(jié)構 IBSD
離子蝕刻 IBE
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn), 和. 美國歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國中國總代理.
