企業(yè)簡介：
ISSI存儲器 靜態(tài)存儲器 IS61WV6416DBLL
SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數(shù)據。
SRAM不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數(shù)據。而DRAM（Dynamic Random Access Memory)每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內部的數(shù)據即會消失，因此SRAM具有較高的性能，功耗較小，但是SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積。同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM顯得更貴。
現(xiàn)將它的特點歸納如下：
◎優(yōu)點，速度快，不必配合內存刷新電路，可提高整體的工作效率。
◎缺點，集成度低，掉電不能保存數(shù)據，功耗較大，相同的容量體積較大，而且價格較高，少量用于關鍵性系統(tǒng)以提{gx}率。
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