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存儲器

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Lyontek存儲器sram存儲器 LY62W5128
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Lyontek存儲器sram存儲器  LY62W5128

       SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。

存儲器SRAM非常適用于電池供電的高速和超低功耗的應用,如手持式掃描儀、掌上電腦、多功能蜂窩電話、機頂盒和WLAN等。                            


 主要有：

1. 存儲容量： 存儲單元個數(shù)M×每單元位數(shù)N

2. 存取時間：從啟動讀(寫)操作到操作完成的時間

3. 存取周期：兩次獨立的存儲器操作所需間隔的最小時間

4. 平均故障間隔時間MTBF（可靠性）

5. 功耗：動態(tài)功耗、靜態(tài)功耗



深圳英尚微電子有限公司

英尚國際有限公司

Ramsun International Limited

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M/P:+86-13751192923 

Q Q: 3161422826            

Skype:ramsun02@

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主營產(chǎn)品：

著名半導體品牌的專業(yè)分銷商 如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI

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Renasas存儲器 存儲器(Memory) R1LP0108ESA
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Renasas存儲器  存儲器(Memory)  R1LP0108ESA

      SRAM主要用于二級高速緩存（Level2 Cache)。它利用晶體管來存儲數(shù)據(jù)。與DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內(nèi)存小。
 SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM（Dynamic Random Access Memory)每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失，因此SRAM具有較高的性能，功耗較小，但是SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內(nèi)存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積。同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM顯得更貴。


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Renasas存儲器 打印機存儲器 R1LP0108ESF
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Renasas存儲器  打印機存儲器  R1LP0108ESF

      RAM (Random Access Memory隨機存貯器）是指通過指令可以隨機地、個別地對每個存儲單元進行訪問、訪問所需時間基本固定、且與存儲單元地址無關的可以讀寫的存儲器。幾乎所有的計算機系統(tǒng)和智能電子產(chǎn)品中，都是采用RAM作為主存。


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Renasas存儲器 芯片存儲器 R1LV3216RSA
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SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM（Dynamic Random Access Memory)每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失，因此SRAM具有較高的性能，功耗較小，但是SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內(nèi)存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積。同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM顯得更貴。

      現(xiàn)將它的特點歸納如下：

◎優(yōu)點，速度快，不必配合內(nèi)存刷新電路，可提高整體的工作效率。

◎缺點，集成度低，掉電不能保存數(shù)據(jù)，功耗較大，相同的容量體積較大，而且價格較高，少量用于關鍵性系統(tǒng)以提{gx}率。


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Renasas存儲器 ic存儲器 R1LV3216RSD
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記憶存儲器有兩大類，一種稱為靜態(tài)RAM(Static RAM/SRAM)，SRAM速度非常快，是目前讀寫最快的存儲設備了，但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一級緩沖，二級緩沖。另一種稱為動態(tài)RAM(Dynamic RAM/DRAM)，DRAM保留數(shù)據(jù)的時間很短，速度也比SRAM慢，不過它還是比任何的ROM都要快，但從價格上來說DRAM相比SRAM要便宜很多，計算機內(nèi)存就是DRAM的。


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Renasas存儲器 eeprom存儲器 R1Q2A7236ABG
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RAM (Random Access Memory隨機存貯器）是指通過指令可以隨機地、個別地對每個存儲單元進行訪問、訪問所需時間基本固定、且與存儲單元地址無關的可以讀寫的存儲器。幾乎所有的計算機系統(tǒng)和智能電子產(chǎn)品中，都是采用RAM作為主存。

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Renasas存儲器 flash存儲器 R1Q4A3636CBB
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半導體存儲器(semi-conductor memory)是一種以半導體電路作為存儲媒體的存儲器,內(nèi)存儲器就是由稱為存儲器芯片的半導體集成電路組成。

 RAM (Random Access Memory隨機存貯器）是指通過指令可以隨機地、個別地對每個存儲單元進行訪問、訪問所需時間基本固定、且與存儲單元地址無關的可以讀寫的存儲器。幾乎所有的計算機系統(tǒng)和智能電子產(chǎn)品中，都是采用RAM作為主存。

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NETSOL存儲器sram存儲器 S7J641882M
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NETSOL存儲器sram存儲器  S7J641882M

 存儲器主要用于存儲系統(tǒng)程序、用戶程序及工作數(shù)據(jù)。存放系統(tǒng)軟件的存儲器稱為系統(tǒng)程序存儲器，存放應用軟件的存儲器為用戶程序存儲器，存放工作數(shù)據(jù)的存儲器稱為數(shù)據(jù)存儲器，常用的存儲器有RAM,EPROM和EEPROM,RAM是一種可進行讀寫操作的隨機存儲器存放用戶程序，生成用戶數(shù)據(jù)區(qū)，存放在RAM中的用戶程序可方便地修改，RAM存儲器是一種高密度，低功耗，性價比高的半導體存儲器，可用鋰電池做備用電源，掉電時，可有效的保存存儲的信息EPROM EEPROM都是只讀存儲器，用這些類型存儲器固化系統(tǒng)管理程序和應用程序。


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JSC存儲器 芯片存儲器 CYPT1542AV18
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   存儲器(Memory)是現(xiàn)代信息技術中用于保存信息的記憶設備。其概念很廣，有很多層次，在數(shù)字系統(tǒng)中，只要能保存二進制數(shù)據(jù)的都可以是存儲器;在集成電路中，一個沒有實物形式的具有存儲功能的電路也叫存儲器，如RAM、FIFO等;在系統(tǒng)中，具有實物形式的存儲設備也叫存儲器，如內(nèi)存條、TF卡等。計算機中全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。有了存儲器，計算機才有記憶功能，才能保證正常工作。計算機中的存儲器按用途存儲器可分為主存儲器


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JSC存儲器 ic存儲器 CYPT1049DV33
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 存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。

存儲器的構成

構成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材料的存儲元，它可存儲一個二進制代碼。由若干個存儲元組成一個存儲單元，然后再由許多存儲單元組成一個存儲器。 一個存儲器包含許多存儲單元，每個存儲單元可存放一個字節(jié)。


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CYPRESS存儲器 sram存儲器 CY7C1062GE30
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 半導體存儲器(semi-conductor memory)是一種以半導體電路作為存儲媒體的存儲器,內(nèi)存儲器就是由稱為存儲器芯片的半導體集成電路組成。


存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。

存儲器的構成

構成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材料的存儲元，它可存儲一個二進制代碼。由若干個存儲元組成一個存儲單元，然后再由許多存儲單元組成一個存儲器。 一個存儲器包含許多存儲單元，每個存儲單元可存放一個字節(jié)。



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CYPRESS存儲器 存儲器(Memory) CY7C1061GE18
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CYPRESS存儲器 存儲器(Memory)  CY7C1061GE18

 存儲器主要用于存儲系統(tǒng)程序、用戶程序及工作數(shù)據(jù)。存放系統(tǒng)軟件的存儲器稱為系統(tǒng)程序存儲器，存放應用軟件的存儲器為用戶程序存儲器，存放工作數(shù)據(jù)的存儲器稱為數(shù)據(jù)存儲器，常用的存儲器有RAM,EPROM和EEPROM,RAM是一種可進行讀寫操作的隨機存儲器存放用戶程序，生成用戶數(shù)據(jù)區(qū)，存放在RAM中的用戶程序可方便地修改，RAM存儲器是一種高密度，低功耗，性價比高的半導體存儲器，可用鋰電池做備用電源，掉電時，可有效的保存存儲的信息EPROM EEPROM都是只讀存儲器，用這些類型存儲器固化系統(tǒng)管理程序和應用程序。


 主要有：

1. 存儲容量： 存儲單元個數(shù)M×每單元位數(shù)N

2. 存取時間：從啟動讀(寫)操作到操作完成的時間

3. 存取周期：兩次獨立的存儲器操作所需間隔的最小時間

4. 平均故障間隔時間MTBF（可靠性）

5. 功耗：動態(tài)功耗、靜態(tài)功耗


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CYPRESS存儲器 打印機存儲器 CY7C1061GE
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 目前SRAM主要運用市場在個人電腦，尚可應用在繪圖卡，掃瞄器，印表機，傳真機，影像壓縮，解壓縮卡等方面

 存儲器主要用于存儲系統(tǒng)程序、用戶程序及工作數(shù)據(jù)。存放系統(tǒng)軟件的存儲器稱為系統(tǒng)程序存儲器，存放應用軟件的存儲器為用戶程序存儲器，存放工作數(shù)據(jù)的存儲器稱為數(shù)據(jù)存儲器，常用的存儲器有RAM,EPROM和EEPROM,RAM是一種可進行讀寫操作的隨機存儲器存放用戶程序，生成用戶數(shù)據(jù)區(qū)，存放在RAM中的用戶程序可方便地修改，RAM存儲器是一種高密度，低功耗，性價比高的半導體存儲器，可用鋰電池做備用電源，掉電時，可有效的保存存儲的信息EPROM EEPROM都是只讀存儲器，用這些類型存儲器固化系統(tǒng)管理程序和應用程序。

 主要有：

1. 存儲容量： 存儲單元個數(shù)M×每單元位數(shù)N

2. 存取時間：從啟動讀(寫)操作到操作完成的時間

3. 存取周期：兩次獨立的存儲器操作所需間隔的最小時間

4. 平均故障間隔時間MTBF（可靠性）

5. 功耗：動態(tài)功耗、靜態(tài)功耗


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CYPRESS存儲器 ic存儲器 CY7C1021D
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CYPRESS存儲器 ic存儲器  CY7C1021D

 目前SRAM主要運用市場在個人電腦，尚可應用在繪圖卡，掃瞄器，印表機，傳真機，影像壓縮，解壓縮卡等方面

存儲器主要用于存儲系統(tǒng)程序、用戶程序及工作數(shù)據(jù)。存放系統(tǒng)軟件的存儲器稱為系統(tǒng)程序存儲器，存放應用軟件的存儲器為用戶程序存儲器，存放工作數(shù)據(jù)的存儲器稱為數(shù)據(jù)存儲器，常用的存儲器有RAM,EPROM和EEPROM,RAM是一種可進行讀寫操作的隨機存儲器存放用戶程序，生成用戶數(shù)據(jù)區(qū)，存放在RAM中的用戶程序可方便地修改，RAM存儲器是一種高密度，低功耗，性價比高的半導體存儲器，可用鋰電池做備用電源，掉電時，可有效的保存存儲的信息EPROM EEPROM都是只讀存儲器，用這些類型存儲器固化系統(tǒng)管理程序和應用程序。


 主要有：

1. 存儲容量： 存儲單元個數(shù)M×每單元位數(shù)N

2. 存取時間：從啟動讀(寫)操作到操作完成的時間

3. 存取周期：兩次獨立的存儲器操作所需間隔的最小時間

4. 平均故障間隔時間MTBF（可靠性）

5. 功耗：動態(tài)功耗、靜態(tài)功耗


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CYPRESS存儲器 ddr2存儲器 CY7C1021CV26
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 SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。                             

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