產(chǎn)品簡介

◆◆◆13632693589興宇電子公司◆◆◆專門回收集成電路存儲器，靜態(tài)存儲器（SRAM）、電可擦寫隨機存儲器（EEPROM）、智能卡芯片（Smart Card）、射頻芯片（RF IC）、基于CAM的并行搜索處理芯片（Parallel Search Processor）以及智能人機接口芯片（HID）等多種產(chǎn)品。這些產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于通信、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、移動電話及消費類電子產(chǎn)品領(lǐng)域。
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深圳市興宇電子回收以下電子呆料，價高同行，現(xiàn)金回收

深圳市興宇電子主要回收的電子產(chǎn)品如下   

一，回收ST 全系列 NOR FLAS！ST NOR FLASH主要運用于汽車電子（汽車維修檢測儀）、消費類電子（數(shù)碼相框、家庭智能系統(tǒng)液晶觸摸屏）、通訊等行業(yè)。
產(chǎn)品有：
M29W400DT/DB   4M
M29W800DT70N6E 8M
M29W800DB70N6E 8M
M29W160ET70N6E 16M
M29W160EB70N6E 16M
M29W320EB70N6E 32M
M29W320ET70N6E 32M
M29W320DT70N6E 32M
M29W320DB70N6E 32M
M29W640FT70N6E 64M
M29W640FT70N6E 64M
M29W640GT70NA6E 64M
M29W640GB70NA6E 64M
M29W128FL70N6E  128M
M29W128FH70N6E。128M

我公司興宇電子成立于2000年,專業(yè)現(xiàn)金高價收購回收各廠家?guī)齑娲魸n處理電子元

件電子料，長期回收工廠庫存呆滯及海關(guān)拍賣的各類集成電路《IC》，
包括；各類存儲器；SRAM，DRAM，SDRAM，DDR，
，F(xiàn)LASH，EEPROM，MCU（單片機），
LCD顯示器用IC，VCD，DVD電視機，機頂盒用IC，通信產(chǎn)品用IC，
電腦用各類IC等等世界各品牌廠家IC。另外也包括各種MOS管+
，電解電容，接收頭，二三極管，發(fā)光管，鉭電容 霍爾元件、
光電器件、內(nèi)存芯片BGA、發(fā)光管、繼電器、功率模塊等電子元件！
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HCPL0701-500E
TL072CDR
TL072IDRG4
HCPL0731-500E
TL074IDR
SPA07N60C3
BTA08-400C
RBO08-40G
BTB08-600C
ADC0801LCN
DAC0802LCJ
DAC0802LCN
ADC0804LCWMXNOPB
ADC08062BIN
ADC0816CCJ
ADC0816CCN
ADC0820CCJ
TL082CDR
TL082IDRG4
ADC0834BCN
TLC0834CN
ADC0841CCV
ADC08831IMM
ADC08832IMNOPB
DAC08ED
STV0900AAB
MGF0904A-01
MGF0906B-01
MRFIC0912R2
STV0984NP
EECRG0V105V
GX1-300P-85-2.0
1-480721-0
HC1-5502-5
HC1-5509-5
SATCR1-DP2
1.5KE120A
1.5KE200A
1.5KE200CA
1.5KE27A
1.5KE56A
1.5KE62A
1.5KE6V8A
1.5KE75A
1.5KE75A
1.5SMC30AT3G
TMBYV10-60FILM
BTA10-800CWRG
SMP100-140
MCR100-6G
100.000MHZ
PTF10007R
DS1000M-35
DS1000S-75
DS1000Z-100
XR1001CP
XR1002CP
100324Q1
100324SC
100395QC
ADC10062CIN
TCLT1008
LT1009ID
MC100E195FN
SY100E457JC
MC100EL16D
MC100EL33DR2
MC100H606FN
SMP100LC-120
MC100LVEL164
SMP100MC-270
BUK101-50DL
HDSP-H101
DS1010-80
MBR10100
PBYR10100
WD1010A-PL
SFM1010T
HDMP1012
MC10141L
SLF10145T-100M2R5PF
ISPLSI1016-60LJN
LT1016CN8
MC10174P
CPC1018N
PLS101F
AC101LKQT
A1020BPL84I
LT1021CMH-5
EDE1032AGBG-8E-F
ISPLSI1032C-60LG883
ISPLSI1032E-70LT
MC1032P
DS1033Z-12
ICP103450-2000
TL103WIDR
SAA1042V
ISPLSI1048E-50LT
LT1054IDW

高

價回收工廠庫存IC呆滯料！聯(lián)系電話 136317978799 龍先生 QQ同步微信: 309-233-915電子是一家主要以銷售與回收IC、電子元器件等為主的專業(yè)電子IC回收公司.經(jīng)過多年的IC電子回收行業(yè)積累，現(xiàn)已成為國內(nèi)知名的回收IC，回收電子元器件，內(nèi)存、鉭電容,手機芯片,手機字庫,手機內(nèi)存的大型回收公司;
長期高價回收夏普各種類IC、索尼各種類IC；

 回收索尼326SKYK、回收夏普IC、回收高通IC、回收聯(lián)發(fā)科IC、回收賽靈思芯片；

回收華為C8650手機配件，回收華為D1手機配件，回收華為C8826D手機配件，回收華為T8830手機配件,回收華為C8300手機配件，回收華為T8828手機配件，回收華為U8836D手機配件，回收華為C8825D手機配件,回收華為T9200手機配件,回收華為手機觸摸屏，回收華為手機外殼?；厥杖A為手機攝像頭?；厥杖A為手機液晶顯示屏。 回收華為手機排線?；厥杖A為手機字庫?；厥杖A為手機CPU?；厥杖A為手機主板。

 回收華為手機天線?；厥杖A為手機喇叭?；厥杖A為手機IC?；厥杖A為手機振子。回收華為手機鏡面。回收華為手機背光。回收華為手機尾插等。同時現(xiàn)金高價收購各種手機配件

 回收K4W1G1646G-BC11，KMN5X000ZM-B209，K5L5563CAA-D770，K3PE7E700A-XGC1，K4P8G304EB-GGC2，K4P4G324EB-GGC2，K524G2GACG-B050，K524G2GACB-A050，KMI2U000MA-B800
高價回收工廠庫存IC呆滯料！聯(lián)系電話 136317978799 龍先生 QQ同步微信: 309-233-915
 

KMK7X000VM-B314，KMN5W000ZM-B207，KMSJS000KM-B308，KMSJS000KA-B308，KMKJS000VM-B309，KMK5U000VM-B309，KMK3U000VM-B410，KMJ5U000WA-B409

KMJ5U000WM-B409，KMJJS000WA-B409，KMJJS000WM-B409，KLMAG2GE4A-A001，KMK8U000VM-B410，KLMAG2WE4A-A001，KA1000015M-BJTT，KLMCG8GEAC-B001，K3QF2F200B-XGCE

K3QF7F70DM-HGCF，KMVUS000LM-B304，KMK7X000VM-B314，KMK5X000VM-B314，KMK7U000VM-B309，KMVTU000LM-B503，KMS5X000KM-B313，K3QF2F200A-QGCE，KLM8G1WE4A-A001

KLM8G2FE3B-B001，KLM4G1FE3B-B001，KMNJS000ZM-B205，KMK5U000ZM-B203，K3P2E304EQ-PGC2，KLMAG2GEAC-B002，KLMAG2GEAC-B001，KMKYLOOOVM-B603，KA1000015M-AJTT

ISSI存儲器 芯片  IS62WV20488ALL

      SRAM主要用于二級高速緩存（Level2 Cache)。它利用晶體管來存儲數(shù)據(jù)。與DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內(nèi)存小。

現(xiàn)將它的特點歸納如下：

◎優(yōu)點，速度快，不必配合內(nèi)存刷新電路，可提高整體的工作效率。

◎缺點，集成度低，掉電不能保存數(shù)據(jù)，功耗較大，相同的容量體積較大，而且價格較高，少量用于關(guān)鍵性系統(tǒng)以提{gx}率。

深圳英尚微電子有限公司

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ISSI存儲器 ddr2  IS62WV5128ALL

 半導(dǎo)體存儲器(semi-conductor memory)是一種以半導(dǎo)體電路作為存儲媒體的存儲器,內(nèi)存儲器就是由稱為存儲器芯片的半導(dǎo)體集成電路組成。                           

存儲器的構(gòu)成

構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材料的存儲元，它可存儲一個二進制代碼。由若干個存儲元組成一個存儲單元，然后再由許多存儲單元組成一個存儲器。 一個存儲器包含許多存儲單元，每個存儲單元可存放一個字節(jié)。

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ISSI存儲器 ddr3  IS62WV5128DALL

       體積小、存儲速度快、存儲密度高、與邏輯電路接口容易。

       半導(dǎo)體存儲器(semi-conductor memory)是一種以半導(dǎo)體電路作為存儲媒體的存儲器,內(nèi)存儲器就是由稱為存儲器芯片的半導(dǎo)體集成電路組成。                           

存儲器的構(gòu)成

構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材料的存儲元，它可存儲一個二進制代碼。由若干個存儲元組成一個存儲單元，然后再由許多存儲單元組成一個存儲器。 一個存儲器包含許多存儲單元，每個存儲單元可存放一個字節(jié)。

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ISSI存儲器 ddr3  IS62WV5128DALL

       體積小、存儲速度快、存儲密度高、與邏輯電路接口容易。

       半導(dǎo)體存儲器(semi-conductor memory)是一種以半導(dǎo)體電路作為存儲媒體的存儲器,內(nèi)存儲器就是由稱為存儲器芯片的半導(dǎo)體集成電路組成。                           

存儲器的構(gòu)成

構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材料的存儲元，它可存儲一個二進制代碼。由若干個存儲元組成一個存儲單元，然后再由許多存儲單元組成一個存儲器。 一個存儲器包含許多存儲單元，每個存儲單元可存放一個字節(jié)。

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Renasas存儲器 芯片  R1LV1616HSA

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Renasas存儲器 ddr2  R1LV5256ESP

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Renasas存儲器   ddr3  R1Q2A7218ABB

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Renasas存儲器   eeprom  R1Q2A7236ABG

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