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4N65SE-ASEMI高壓N溝道MOS管4N65SE
型號：4N65SE
品牌：ASEMI
封裝：ITO-220F
大漏源電流：4A
漏源擊穿電壓：650V
RDS（ON）Max：2.5Ω
引腳數(shù)量：3
溝道類型：N溝道MOS管
芯片尺寸：MIL
漏電流：
恢復(fù)時間：5ns
芯片材質(zhì)：
封裝尺寸：如圖
特性：高壓MOS管、N溝道MOS管
工作結(jié)溫：-55℃~150℃
4N65SE場效應(yīng)管
4N65SE的電性參數(shù)：大漏源電流18A；漏源擊穿電壓200V
特征：
低固有電容。
出色的開關(guān)特性。
擴展操作區(qū)域。
無與倫比的柵極電荷：Qg=75 nC（典型值）。
BVDSS=650V，Id=4A
RDS（開）:2.5? （大值）@VG=10V
