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50N06S-ASEMI低壓N溝道MOS管50N06S

作者:深圳市強元芯電子有限公司 來源:asemi888 發(fā)布時間:2023-02-16 瀏覽:17
50N06S-ASEMI低壓N溝道MOS管50N06S

編輯:ll

50N06S-ASEMI低壓N溝道MOS50N06S

型號:50N06S

品牌:ASEMI

封裝:TO-252

大漏源電流:50A

漏源擊穿電壓:60V

RDSONMax0.15Ω

引腳數(shù)量:3

芯片個數(shù):

溝道類型:N溝道MOS管、低壓MOS

漏電流:ua

特性:N溝道MOS管、場效應(yīng)管

工作溫度:-55~175

備受歡迎的50N06S MOS

  ASEMI品牌50N06S是采用工藝芯片,該芯片具有良好的穩(wěn)定性及抗沖擊能力,能夠持續(xù)保證了50N06S的大漏源電流50A,漏源擊穿電壓60V.

?細節(jié)體現(xiàn)差距

50N06S,ASEMI品牌,工藝芯片,工藝制造,該產(chǎn)品穩(wěn)定性高,抗沖擊能力強。

50N06S具體參數(shù)為:大漏源電流:50A,漏源擊穿電壓:60V,反向恢復(fù)時間: ns,封裝:TO-252


鄭重聲明:資訊 【50N06S-ASEMI低壓N溝道MOS管50N06S】由 深圳市強元芯電子有限公司 發(fā)布,版權(quán)歸原作者及其所在單位,其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內(nèi)容未經(jīng)(企業(yè)庫www.scsong.cn)證實,請讀者僅作參考,并請自行核實相關(guān)內(nèi)容。若本文有侵犯到您的版權(quán), 請你提供相關(guān)證明及申請并與我們聯(lián)系(qiyeku # qq.com)或【在線投訴】,我們審核后將會盡快處理。
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