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50N06S-ASEMI低壓N溝道MOS管50N06S
型號:50N06S
品牌:ASEMI
封裝:TO-252
大漏源電流:50A
漏源擊穿電壓:60V
RDS(ON)Max:0.15Ω
引腳數(shù)量:3
芯片個數(shù):
溝道類型:N溝道MOS管、低壓MOS管
漏電流:ua
特性:N溝道MOS管、場效應(yīng)管
工作溫度:-55℃~175℃
備受歡迎的50N06S MOS管
ASEMI品牌50N06S是采用工藝芯片,該芯片具有良好的穩(wěn)定性及抗沖擊能力,能夠持續(xù)保證了50N06S的大漏源電流50A,漏源擊穿電壓60V.
?細節(jié)體現(xiàn)差距
50N06S,ASEMI品牌,工藝芯片,工藝制造,該產(chǎn)品穩(wěn)定性高,抗沖擊能力強。
50N06S具體參數(shù)為:大漏源電流:50A,漏源擊穿電壓:60V,反向恢復(fù)時間: ns,封裝:TO-252