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ASE50N03-ASEMI低壓N溝道MOS管ASE50N03
型號：ASE50N03
品牌：ASEMI
封裝：TO-252
大漏源電流：50A
漏源擊穿電壓：30V
RDS（ON）Max：5.8mΩ
引腳數(shù)量：3
溝道類型：N溝道MOS管
芯片尺寸：MIL
漏電流：
恢復時間：5ns
芯片材質(zhì)：
封裝尺寸：如圖
特性：低壓MOS管、N溝道MOS管
工作結(jié)溫：-55℃~150℃
ASE50N03場效應管
ASE50N03的電性參數(shù)：大漏源電流50A；漏源擊穿電壓30V
特征：
低固有電容。
出色的開關特性。
擴展操作區(qū)域。
無與倫比的柵極電荷：Qg=75 nC（典型值）。
BVDSS=30V，Id=50A
RDS（開）:5.8m? （大值）@VG=10V
