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蘋(píng)果公司正在自研5g基帶，將由臺(tái)積電代工生產(chǎn)，有望在2024年使用。事實(shí)上，自2019年蘋(píng)果收購(gòu)英特爾智能手機(jī)基帶業(yè)務(wù)后，就一直有傳聞稱蘋(píng)果要開(kāi)發(fā)自己的5g解決方案。
蘋(píng)果蘋(píng)果目前，蘋(píng)果5g手機(jī)iphone 12系列使用的是高通x55基帶。相關(guān)文件顯示，蘋(píng)果將在2023年之前繼續(xù)使用高通5g基帶。根據(jù)蘋(píng)果在2023年底推出的5g版iphone預(yù)計(jì)會(huì)搭載集成5g基帶的a系列手機(jī)芯片。若新消息屬實(shí)，這將是蘋(píng)果繼自研a系列手機(jī)芯片、m系列電腦芯片后，再一次擴(kuò)大自研芯片比重。
值得一提的是，蘋(píng)果和臺(tái)積電是長(zhǎng)期以來(lái)的友好合作伙伴。市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)counterpoint預(yù)計(jì)，由于a14和a15 bionic芯片以及m1，蘋(píng)果將成為臺(tái)積電今年大的5nm產(chǎn)品客戶，占產(chǎn)量的53 。counterpoint認(rèn)為，高通將占臺(tái)積電5nm芯片產(chǎn)量的24 ，因?yàn)轭A(yù)計(jì)蘋(píng)果將在iphone 13中使用高通的5nm驍龍x60基帶。
隨著nand flash制程進(jìn)步與線路寬度與間距的微縮，連帶影響到抹寫(xiě)次數(shù)（p/e cycles）的縮減。slc存儲(chǔ)器從3x 制程的100，000次p/e cycles、4個(gè)ecc bit到2x 制程降為60，000 p/e、ecc 24bit。mlc從早期5x 制程10，000 p/e、ecc 8bit，到2x/2y 制程時(shí)已降為3，000 p/e、24~40個(gè)ecc bit。 有廠商提出，eslc、islc的存儲(chǔ)器解決方案，以運(yùn)用既有的低成本的mlc存儲(chǔ)器，在單一細(xì)胞電路單元使用slc讀寫(xiě)技術(shù)（只儲(chǔ)存單一位元的電荷值），抹寫(xiě)度提升到30，000次p/e，成本雖比mlc高，但遠(yuǎn)于slc，可應(yīng)用在ipc／kiosk／pos系統(tǒng)、嵌入式系統(tǒng)、伺服器主機(jī)板以及薄型終端機(jī)等。 TAS3004PFBR TL5002CDR TPS74801DRCR TPS74801TDRCRQ1 ISL6443IRZ-TK MAX8510EXK28+T MOT3054 SI3010-F-FS DP83901AV DS14C238WM DS14C238WMX ADM202EARNZ-REEL7 AM26C32CNS NC7SZ08M5X NC7SZ126M5X NC7SP57P6X NC7WZ17P6X CLVC1G374QDCKRQ1 TL594CD TXS0101DCKR TIR1000PWR AT24C256W ASM1543 TPS715A33DRVR TLV7113030DDSER MP9495DJ-LF-Z
