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東芝公司的發(fā)明人舛岡富士雄首先提出了快速閃存存儲器（此處簡稱閃存）的概念。與傳統(tǒng)電腦內(nèi)存不同，閃存的特點是nvm，其記錄速度也非?？臁?br />
intel是上個生產(chǎn)閃存并將其投放市場的公司。1988年，公司推出了一款256k bit閃存芯片。它如同鞋盒一樣大小，并被內(nèi)嵌于一個錄音機里，intel發(fā)明的這類閃存被統(tǒng)稱為nor閃存。它結合eprom和eeprom兩項技術，并擁有一個sram接口。
種閃存稱為nand閃存。它由日立公司于1989年研制，并被認為是nor閃存的理想替代者。nand閃存的寫周期比nor閃存短90 ，它的保存與刪除處理的速度也相對較快。nand的存儲單元只有nor的一半，在更小的存儲空間中nand獲得了的性能。鑒于nand的表現(xiàn)，它常常被應用于諸如compactflash、smartmedia、 sd、 mmc、 xd、&pc cards、usb sticks等存儲卡上。
nand 閃存的存儲單元采用串行結構，存儲單元的讀寫是以頁和塊為單位來進行（一頁包含若干字節(jié)，若干頁則組成儲存塊， nand 的存儲塊大小為 8 到 32kb ），這種結構大的點在于容量可以做得很大，超過 512mb 容量的 nand 產(chǎn)品相當普遍， nand 閃存的成本較低，有利于大規(guī)模普及。
nand 閃存的缺點在于讀速度較慢，它的 i/o 端口只有 8 個，比 nor 要少多了。這區(qū)區(qū) 8 個 i/o 端口只能以信號輪流傳送的方式完成數(shù)據(jù)的傳送，速度要比 nor 閃存的并行傳輸模式慢得多。再加上 nand 閃存的邏輯為電子盤模塊結構，內(nèi)部不存在專門的存儲控制器，一旦出現(xiàn)數(shù)據(jù)壞塊將無法修，性較 nor 閃存要差。
2020年，營收創(chuàng)下歷史新高、v- 利潤創(chuàng)下歷史新高、研發(fā)投入/資本開支創(chuàng)下歷史新高的半導體雙雄，臺積電和聯(lián)發(fā)科，在資本市場也是。昨日，臺積電股價沖上540新臺幣，市值14萬億新臺幣，創(chuàng)下歷史新高；聯(lián)發(fā)科股價達到790新臺幣，市值達到1.25萬億，也創(chuàng)下歷史新高。臺積電2021年的制程產(chǎn)能依舊，雖然因美國失去了海思半導體這個大客戶，但其他芯片依然。甚至一向“”的英特爾，也可能將5nm訂單委托為臺積電代工。臺積電預計2021年資本開支將至200億美元。聯(lián)發(fā)科2020年營收突破100億美元大關， 三季度手機芯片市場份額一次超過高通，以31 另一種稱為動態(tài)ram（dynamic ram/dram），dram保留數(shù)據(jù)的時間很短，速度也比sram慢，不過它還是比的rom都要快，但從價格上來說dram相比sram要便宜很多，計算機內(nèi)存就是dram的。