25小時(shí)在線 158-8973同步7035 可微可電在前夕，半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)布測(cè)算稱(chēng)，2020年我國(guó)集成電路銷(xiāo)售收入達(dá)到 8848 億元，平均增長(zhǎng)率達(dá)到 20 ，為同期產(chǎn)業(yè)增速的3倍。技術(shù)上也不斷取得突破，目前制造工藝、封裝技術(shù)、關(guān)鍵設(shè)備材料都有明顯大幅提升。企業(yè)實(shí)力穩(wěn)定提高，在設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)等產(chǎn)業(yè)鏈上也涌現(xiàn)出一批新的企業(yè)。
一家于半導(dǎo)體行業(yè)后道封裝測(cè)試領(lǐng)域設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，主要產(chǎn)品包括半導(dǎo)體自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)、激光打標(biāo)設(shè)備及其他機(jī)電 設(shè)備的公司。公司是國(guó)內(nèi)的半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)供應(yīng)商，同時(shí)也是少數(shù)進(jìn)入封測(cè)市場(chǎng)供應(yīng)鏈體系的半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)之一。公開(kāi)資料顯示，聯(lián)動(dòng)科技2020年經(jīng)審閱的營(yíng)業(yè)收入為 2.03億元，同時(shí)2018 年至 2020 年?duì)I業(yè)收入復(fù)合增長(zhǎng)率實(shí)現(xiàn)了14.17 。
層面，聯(lián)動(dòng)科技的半導(dǎo)體自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)在工作過(guò)程中是通過(guò) handler（分選機(jī)）與半導(dǎo)體元器件連接，或者通過(guò) prober（探針臺(tái)）與 wafer（半導(dǎo)體晶圓）接觸，通過(guò)測(cè)試系統(tǒng)的測(cè)試板卡及功能模塊對(duì)半導(dǎo)體元器件施加輸入信號(hào)、采集輸出信號(hào)，判斷半導(dǎo)體元器件在不同工作條件下功能和性能的 性。半導(dǎo)體自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)是半導(dǎo)體行業(yè)廠家產(chǎn)品研發(fā)和生產(chǎn)過(guò)程中的設(shè)備，它涉及電路設(shè)計(jì)、機(jī)械自動(dòng)化、軟件控制等多個(gè)領(lǐng)域的交叉應(yīng)用，技術(shù)難度較高。
目前，聯(lián)動(dòng)科技研發(fā)的系列產(chǎn)品已經(jīng)涵蓋半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)、集成電路測(cè)試系統(tǒng)并 應(yīng)用于目前半導(dǎo)體市場(chǎng)出現(xiàn)的新材料半導(dǎo)體器件、功率器件等新型器件的特殊參數(shù)測(cè)試模組，實(shí)現(xiàn)了半導(dǎo)體自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)的進(jìn)口替代，同時(shí)進(jìn)入了安森美集團(tuán)、安靠集團(tuán)等國(guó)外半導(dǎo)體企業(yè)的供應(yīng)鏈。
我國(guó)的封裝業(yè)起步早、發(fā)展快，但是主要以傳統(tǒng)封裝產(chǎn)品為主，近年來(lái)國(guó)內(nèi)廠商通過(guò)并購(gòu)，快速積累封裝技術(shù)，技術(shù)平臺(tái)已經(jīng)基本 和海外廠商同步，wlcsp、sip、tvs 等封裝技術(shù)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，2015-2019 年 封裝占比例逐漸提升。
隨著采用傳統(tǒng)2d平面制程技術(shù)的nand flash即將nand flash大廠紛紛開(kāi)始采用3d堆疊制程技術(shù)來(lái)增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆疊nand設(shè)計(jì)概念，同年samsung也發(fā)表stacked nand堆疊式快閃存儲(chǔ)器，2007年?yáng)|芝發(fā)表bics，2009年?yáng)|芝發(fā)表p-bics、三星發(fā)表tcat、vg-nand與vsat，2010年旺宏發(fā)表vg tft，2011發(fā)表pnvg tft，同年hynix也發(fā)表hybrid 3d技術(shù)。2010年vlsi研討會(huì)，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技術(shù)裝置的vg（垂直閘） 3d nand技術(shù)。預(yù)計(jì)2012年進(jìn)入55nm制程，2013年進(jìn)入36nm制程，2015年進(jìn)入2xnm制程，制程進(jìn)度落后其他大廠甚多。  三星（samsung）同樣于2006年發(fā)表stacked nand，2009年進(jìn)一步發(fā)表垂直通道tcat與水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星發(fā)布名為v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技術(shù)和垂直堆疊單元結(jié)構(gòu)，單一芯片可以集結(jié)、堆疊出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多兩倍，性、寫(xiě)入速度也比20nm制程nand flash還高。三星目前在3d-nand flash應(yīng)用進(jìn)度其他業(yè)者，v-nand制造基地將以韓國(guó)廠與新設(shè)立的西安廠為主。其v-nand目標(biāo)直接揮軍伺服器等級(jí)固態(tài)硬碟，從2013年 四季開(kāi)始，陸續(xù)送樣給伺服器業(yè)者或是資料 制造商進(jìn)行測(cè)試。  VNB35NV04-E VND14NV04TR-E STD15P6F6AG STF11N65M2 STB36NM60N STB33N60DM2 STDS75DS2F STP7N65M2 STP12N60M2 STP220N6F7 STP23NM50N STP7N60M2 STU12N60M2 STW13N60M2 STW20N65M5 STW35N60DM2 STW36NM60ND STW56N60DM2 STW72N60DM2AG STY105NM50N TN1215-600H STB18N65M5 STB24NM60N STB28NM50N