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云南某實(shí)驗(yàn)室采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 射頻磁控濺射沉積方法在不同溫度的 Si（100）襯底和石英襯底上制備了富硅 SiNx 薄膜, 用于研究硅量子點(diǎn) SiN 薄膜的光譜特性. 該實(shí)驗(yàn)?zāi)康氖?/span>優(yōu)化含硅量子點(diǎn)的 SiNx 薄膜的制備參數(shù), 在硅基光電子器件的應(yīng)用方面有重要意義.
伯東 KRI RFICP220 技術(shù)參數(shù):
型號(hào)
RFICP220
Discharge
RFICP 射頻
離子束流
>800 mA
離子動(dòng)能
100-1200 V
柵極直徑
20 cm Φ
離子束
聚焦, 平行, 散射
流量
10-40 sccm
通氣
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力
< 0.5m Torr
長度
30 cm
直徑
41 cm
中和器
LFN 2000
* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量
實(shí)驗(yàn)室采用 Fourier 變換紅外光譜、Raman 光譜、掠入射 X 射線衍射和光致發(fā)光光譜對退火后的薄膜樣品進(jìn)行了表征.
KRI 的獨(dú)特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能, 增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 技術(shù)的情況下是無法實(shí)現(xiàn)的.
因此, 該研究項(xiàng)目才采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助濺射沉積工藝.
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