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上海某大學(xué)實(shí)驗(yàn)室采用 KRI 考夫曼 RFICP140 , 通入氬氣和氮?dú)?/span>, 在流量比分別為 25/10、25/20、25/25、25/30 ((mL/min)/(mL/min))條件下制備 NGZO 薄膜.
伯東 KRI 考夫曼 RFICP140 技術(shù)參數(shù):
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型號(hào) |
RFICP140 |
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Discharge |
RFICP 射頻 |
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離子束流 |
>600 mA |
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離子動(dòng)能 |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
14 cm Φ |
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離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
5-30 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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長(zhǎng)度 |
24.6 cm |
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直徑 |
24.6 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
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實(shí)驗(yàn)室通過(guò) XRD 和 SEM 對(duì)薄膜的物相結(jié)構(gòu)和表面形貌進(jìn)行分析,通過(guò)紫外可見分光光度計(jì)和霍爾效應(yīng)測(cè)試儀對(duì)薄膜透過(guò)率和載流子濃度、遷移率及薄膜電阻率進(jìn)行研究.
實(shí)驗(yàn)結(jié)果:
通過(guò)與未摻入 N 的 Ga 摻雜氧化鋅 (GZO) 薄膜相比, 在可見光區(qū), 尤其是 600~800 nm 范圍內(nèi), NGZO 薄膜平均透過(guò)率在80%以上,符合透明導(dǎo)電薄膜透過(guò)率的要求.
在 N-Ga 共摻雜薄膜中, N 的摻雜主要占據(jù) O 空位, 并吸引空位周圍的電子, 這減小了薄膜晶格畸變, 并產(chǎn)生電子空穴, 最終使得薄膜中電子載流子濃度降低, 空穴載流子濃度增加, 電阻率有所增加.
隨著氮?dú)饬髁康淖兓?/span>, 發(fā)現(xiàn)在 25 mL/min 時(shí), 薄膜具有佳的綜合性能. 這種薄膜可用于紫外光探測(cè)器等需較大電阻率的應(yīng)用中, 并有望實(shí)現(xiàn) n-p 型轉(zhuǎn)化.
KRI 的獨(dú)特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能, 增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 技術(shù)的情況下是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的.
KRI 是領(lǐng)域公認(rèn)的領(lǐng)者, 已獲得許多專利. KRI 已應(yīng)用于許多已成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的過(guò)程中.
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